BLUE ROCKET
商品列表
SS34F
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 SMAF Vrrm=40V If=3A Ifsm=80A Pd=2.27W
二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 封装/外壳: SMAF(DO-214AD) 反向漏电流IR: 500μA@40V 反向耐压VR: 40V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 80A 平均整流电流: 3A 高度: 1.20mm 正向压降VF: 550mV@3A 长x宽/尺寸: 3.70 x 2.70mm
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 SMAF Vrrm=40V If=3A Ifsm=80A Pd=2.27W
二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 封装/外壳: SMAF(DO-214AD) 反向漏电流IR: 500μA@40V 反向耐压VR: 40V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 80A 平均整流电流: 3A 高度: 1.20mm 正向压降VF: 550mV@3A 长x宽/尺寸: 3.70 x 2.70mm
2SA812-G
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:50V 电流:100mA PNP G(200-400) 晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V 功率(Pd):200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,6V G(200-400)
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:50V 电流:100mA PNP G(200-400) 晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V 功率(Pd):200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,6V G(200-400)
2N4403
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:40V 电流:600mA PNP (100-300) 晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):600mA 集射极击穿电压(Vceo):40V 功率(Pd):625mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V (100-300)
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:40V 电流:600mA PNP (100-300) 晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):600mA 集射极击穿电压(Vceo):40V 功率(Pd):625mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V (100-300)
MMBT4401
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 SOT23-3 NPN VCEO=60V Ic=600mA
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 集电极-基极电压（VCBO）: 60V 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/reel Vce饱和压降: 750mV 集射极击穿电压Vce(Max): 40V 极性: NPN 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.50mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 40V 原产国家: China 高度: 1.20mm 零件状态: Active DC电流增益(hFE): 20 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 SOT23-3 NPN VCEO=60V Ic=600mA
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 集电极-基极电压（VCBO）: 60V 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/reel Vce饱和压降: 750mV 集射极击穿电压Vce(Max): 40V 极性: NPN 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.50mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 40V 原产国家: China 高度: 1.20mm 零件状态: Active DC电流增益(hFE): 20 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
KTA1666-Y
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：2A 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：120@500mA,2V Y(120-240)
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：2A 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：120@500mA,2V Y(120-240)
BRD840
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：500V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：45W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：850mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：500V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：45W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：850mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA
S8050M-DHY3D
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：800mA 功率(Pd)：450mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：280mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：160@100mA,1V 特征频率(fT)：190MHz 工作温度：+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：800mA 功率(Pd)：450mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：280mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：160@100mA,1V 特征频率(fT)：190MHz 工作温度：+150℃@(Tj)
BRFL12N60
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：51W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：650mΩ@10V,6A
封装/外壳: TO220FL 安装类型: DIP 品牌: BLUE ROCKET 功率耗散: 51W 连续漏极电流Id@25℃: 12A 漏源电压(Vdss): 600V 极性: N-Channel 漏源导通电阻 RDS(on): 650mΩ 长x宽/尺寸: 10.36 x 4.90mm
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：51W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：650mΩ@10V,6A
封装/外壳: TO220FL 安装类型: DIP 品牌: BLUE ROCKET 功率耗散: 51W 连续漏极电流Id@25℃: 12A 漏源电压(Vdss): 600V 极性: N-Channel 漏源导通电阻 RDS(on): 650mΩ 长x宽/尺寸: 10.36 x 4.90mm
MMBT2907A
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：60V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@150mA,10V
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：60V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@150mA,10V