BLUE ROCKET

MPSA94
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：400V 集电极电流(Ic)：300mA 功率(Pd)：625mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：80@10mA,10V

BAV23A
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管
描述: 二极管配置：1对共阳极 功率：350mW 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：400mA 正向压降(Vf)：1.25V@200mA 反向电流(Ir)：100nA@200V 反向恢复时间(trr)：50ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj)

MMBT5401-B
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,5V 特征频率(fT)：80MHz 工作温度：+150℃@(Tj)

2SC4672-Q
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:50V 电流:3A NPN Q(120-270) 晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):3A 集射极击穿电压(Vceo):50V 功率(Pd):500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,2V Q(120-270)

SMBJ70A
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 反向截止电压(Vrwm)：70V 击穿电压：77.8V 最大钳位电压：113V

BRCS4266SC
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.8V@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：1.34nF@30V 反向传输电容(Crss@Vds)：10pF@30V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) 停产

BRFL7N60
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：48W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.2Ω@10V,3.5A 停产

BRCS120N02ZJ
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：2.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12.1mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：800mV@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：884pF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：78pF@25V 工作温度：+150℃@(Tj) 停产

BR431-A
供应商: Anychip Mall
分类: 电压基准芯片
描述: 输出类型：可调式 输出电压：2.5V~37V 输出电流：100mA 最小阴极电流调节：1mA 工作温度：-40℃~+125℃@(TA)

2SA970
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：120V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@2mA,6V GR(200-400) PNP