BLUE ROCKET
商品列表
FTB10F-10
供应商: Anychip Mall
分类: 整流桥
描述: 电压:1kV 电流:1A 正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向浪涌电流(Ifsm):30A
供应商: Anychip Mall
分类: 整流桥
描述: 电压:1kV 电流:1A 正向压降(Vf):1.3V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向浪涌电流(Ifsm):30A
S2MW
供应商: Anychip Mall
分类: 通用二极管
描述: 电压:1kV 电流:2A 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.1V@2A 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):2A
供应商: Anychip Mall
分类: 通用二极管
描述: 电压:1kV 电流:2A 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.1V@2A 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):2A
BR50P06
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):50A 功率(Pd):115W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@10V,25A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250μA 停产
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):50A 功率(Pd):115W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@10V,25A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250μA 停产
MMBTA92
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):300V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@10mA,10V
安装类型: SMT 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 集射极击穿电压Vce(Max): 300V 包装: Tape/reel 跃迁频率: 50MHz 集电极与基极之间电压 VCBO: 300V 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 300V 集电极电流 Ic: 500mA 原产国家: China 最小包装: 3000pcs DC电流增益(hFE)(Min&Range): 40 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V Vce饱和压降(Max): 500mV 零件状态: Active 高度: 1.30mm 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):300V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@10mA,10V
安装类型: SMT 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 集射极击穿电压Vce(Max): 300V 包装: Tape/reel 跃迁频率: 50MHz 集电极与基极之间电压 VCBO: 300V 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 300V 集电极电流 Ic: 500mA 原产国家: China 最小包装: 3000pcs DC电流增益(hFE)(Min&Range): 40 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V Vce饱和压降(Max): 500mV 零件状态: Active 高度: 1.30mm 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
8050M-C
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SOT-23 NPN 半导体三极管 Ic:1.5A Vce:25V
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 功率耗散: 625mW 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 集射极击穿电压Vce(Max): 25V 包装: Tape/reel 跃迁频率: 190MHz 集电极与基极之间电压 VCBO: 40V 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.50mm 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 集电极-发射极电压 VCEO: 25V 集电极电流 Ic: 1.5A 原产国家: China 最小包装: 3000pcs DC电流增益(hFE)(Min&Range): 120~200 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V Vce饱和压降(Max): 280mV 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SOT-23 NPN 半导体三极管 Ic:1.5A Vce:25V
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 功率耗散: 625mW 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 集射极击穿电压Vce(Max): 25V 包装: Tape/reel 跃迁频率: 190MHz 集电极与基极之间电压 VCBO: 40V 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.50mm 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 集电极-发射极电压 VCEO: 25V 集电极电流 Ic: 1.5A 原产国家: China 最小包装: 3000pcs DC电流增益(hFE)(Min&Range): 120~200 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V Vce饱和压降(Max): 280mV 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
IRFB3710
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):59A 功率(Pd):160W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):18mΩ@10V,35A 停产
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):59A 功率(Pd):160W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):18mΩ@10V,35A 停产