BLUE ROCKET
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MBRD10200CT
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: TO252 SMT
安装类型: SMT 二极管配置: 1对共阴极 品牌: BLUE ROCKET 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 880mV@10A 长x宽/尺寸: 6.75 x 6.25mm 封装/外壳: TO252 反向漏电流IR: 10µA 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 200V 反向耐压VR: 200V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 80A 平均整流电流: 5A 最小包装: 2500pcs 正向压降VF Max: 800mV 高度: 2.40mm
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: TO252 SMT
安装类型: SMT 二极管配置: 1对共阴极 品牌: BLUE ROCKET 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 880mV@10A 长x宽/尺寸: 6.75 x 6.25mm 封装/外壳: TO252 反向漏电流IR: 10µA 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 200V 反向耐压VR: 200V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 80A 平均整流电流: 5A 最小包装: 2500pcs 正向压降VF Max: 800mV 高度: 2.40mm
BRD100N03
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel TO252-3 Vdss=30V Id=100A Vgss=±20V Pd=100W
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 功率耗散: 100W 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V 额定功率: 100W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 5mΩ@4.5V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 100A 长x宽/尺寸: 7.50 x 6.75mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: +150℃ 配置: 单路 输入电容: 9.5nF 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel TO252-3 Vdss=30V Id=100A Vgss=±20V Pd=100W
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 功率耗散: 100W 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V 额定功率: 100W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 5mΩ@4.5V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 100A 长x宽/尺寸: 7.50 x 6.75mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: +150℃ 配置: 单路 输入电容: 9.5nF 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
BRCS9926SC
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel Vdss=20V Vgs=±10V Pd=1.6W BVdss=20V SOP8_150MIL
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 阈值电压: 1V 额定功率: 1.6W 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6.5A 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.10mm 封装/外壳: SOP8_150MIL 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±10V 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 19mΩ 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 7nC@4.5V 高度: 1.75mm 晶体管类型: 2个N沟道 类型: 2个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel Vdss=20V Vgs=±10V Pd=1.6W BVdss=20V SOP8_150MIL
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 阈值电压: 1V 额定功率: 1.6W 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6.5A 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.10mm 封装/外壳: SOP8_150MIL 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±10V 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 19mΩ 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 7nC@4.5V 高度: 1.75mm 晶体管类型: 2个N沟道 类型: 2个N沟道
BRCS2301MA
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.8A 功率(Pd)：1.25W
安装类型: SMT 击穿电压: -23V 阈值电压: -0.95V 额定功率: 1.25W 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 96mΩ@2.5V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 2.8A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±8V 反向传输电容Crss: OriginalpF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 68mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.30mm 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.8A 功率(Pd)：1.25W
安装类型: SMT 击穿电压: -23V 阈值电压: -0.95V 额定功率: 1.25W 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 96mΩ@2.5V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 2.8A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±8V 反向传输电容Crss: OriginalpF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 68mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.30mm 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
RS2MW
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: 快/超快恢复二极管 SOD123FL Vrrm=1KV Vrms=400V VDC=1KV If=2A Ifsm=50A Cj=40pF
安装类型: SMT 二极管配置: 独立式 品牌: BLUE ROCKET 包装: Tape/Reel 最大有效值电压Vrms: 700V 最大直流阻断电压VDC: 1KV 正向压降VF: 1.3V@2A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.90mm 封装/外壳: SOD-123FL-2 反向漏电流IR: 5μA 工作温度: -55℃~+150℃ 反向峰值电压（最大值）: 1KV 反向耐压VR: 1KV 平均整流电流: 2A 最小包装: 3000pcs 反向恢复时间(trr): 500ns 结电容: 40pF 高度: 1.10mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: 快/超快恢复二极管 SOD123FL Vrrm=1KV Vrms=400V VDC=1KV If=2A Ifsm=50A Cj=40pF
安装类型: SMT 二极管配置: 独立式 品牌: BLUE ROCKET 包装: Tape/Reel 最大有效值电压Vrms: 700V 最大直流阻断电压VDC: 1KV 正向压降VF: 1.3V@2A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.90mm 封装/外壳: SOD-123FL-2 反向漏电流IR: 5μA 工作温度: -55℃~+150℃ 反向峰值电压（最大值）: 1KV 反向耐压VR: 1KV 平均整流电流: 2A 最小包装: 3000pcs 反向恢复时间(trr): 500ns 结电容: 40pF 高度: 1.10mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
BC846-B
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 NPN SOT23-3 Vcbo=80V Vebo=6V Ic=100mA Pc=350mW Ft=300MHz
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 集电极-基极电压（VCBO）: 80V 额定功率: 350mW 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 65V Vce饱和压降: 200mV 极性: NPN 跃迁频率: 300MHz 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.50mm 封装/外壳: SOT-23 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 65V 集电极电流 Ic: 100mA 特征频率(fT): 300MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 1.20mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 450 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 NPN SOT23-3 Vcbo=80V Vebo=6V Ic=100mA Pc=350mW Ft=300MHz
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 集电极-基极电压（VCBO）: 80V 额定功率: 350mW 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 65V Vce饱和压降: 200mV 极性: NPN 跃迁频率: 300MHz 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.50mm 封装/外壳: SOT-23 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 65V 集电极电流 Ic: 100mA 特征频率(fT): 300MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 1.20mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 450 引脚数: 3Pin
BRCS3401MC
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.4W
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 功率耗散: 1.4W 阈值电压: -1V 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.2A 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.50mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 77pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 52mΩ 原产国家: China 输入电容: 957pF 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.4W
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 功率耗散: 1.4W 阈值电压: -1V 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.2A 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.50mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 77pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 52mΩ 原产国家: China 输入电容: 957pF 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
BRCO7550T
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: SOT-89 塑封封装 低压差线性稳压器。
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 额定功率: 500mW 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 输入电压: 30V 长x宽/尺寸: 4.70 x 2.65mm 输出类型: 固定 封装/外壳: SOT89-3 元件生命周期: Active 负荷调节: 25mV 工作温度: -40℃~+85℃ 原产国家: China 输出电流: 150mA 最小包装: 1000pcs 输出电压: 5V 输入电压（最大值）: 30V 高度: 1.70mm 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: SOT-89 塑封封装 低压差线性稳压器。
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 额定功率: 500mW 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 输入电压: 30V 长x宽/尺寸: 4.70 x 2.65mm 输出类型: 固定 封装/外壳: SOT89-3 元件生命周期: Active 负荷调节: 25mV 工作温度: -40℃~+85℃ 原产国家: China 输出电流: 150mA 最小包装: 1000pcs 输出电压: 5V 输入电压（最大值）: 30V 高度: 1.70mm 引脚数: 3Pin
BAT54J
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 电压:30V 电流:200mA 正向压降(Vf):800mV@100mA 直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):200mA
安装类型: SMT 最大耗散功率: 250mW 品牌: BLUE ROCKET 总电容C: 10pF 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.40mm 反向漏电流IR: 2µA 封装/外壳: SOD323 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 原产国家: China 平均整流电流IF: 200mA 反向峰值电压（最大值）: 30V 反向耐压VR: 30V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 600mA 最小包装: 3000pcs 反向恢复时间(trr): 5ns 正向压降VF Max: 800mV 高度: 1.15mm
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 电压:30V 电流:200mA 正向压降(Vf):800mV@100mA 直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):200mA
安装类型: SMT 最大耗散功率: 250mW 品牌: BLUE ROCKET 总电容C: 10pF 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.40mm 反向漏电流IR: 2µA 封装/外壳: SOD323 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 原产国家: China 平均整流电流IF: 200mA 反向峰值电压（最大值）: 30V 反向耐压VR: 30V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 600mA 最小包装: 3000pcs 反向恢复时间(trr): 5ns 正向压降VF Max: 800mV 高度: 1.15mm
BRCL4056BSE
供应商: Anychip Mall
分类: 电池管理
描述: BRCL4056BSE 一款完整的恒定电流/恒定电压线性控制单节锂离子电池充电器，具有电池正负极反接保护 功能。其 ESOP-8 封装与较少的外部元件数目使得 BRCL4056BSE 成为便携式应用的理想选择。 BRCL4056BSE 可以适合 USB 电源和适配器电源工作。 由于采用了内部 PMOSFET 架构，加上防倒充电路，所以不需要外部检测电阻器和隔离二极管。热反馈可 对充电电流进行自动调节，以便在大功率操作或高环境温度条件下对芯片温度加以限制。充满电压固定于 4.20V，而充电电流可通过一个电
产品分类: 电池充电管理芯片电源管理 安装类型: SMT 最小包装: 4000pcs 原产国家: China 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 品牌: BLUE ROCKET 大小/尺寸: 5.10 x 4.10mm 工作温度: -40~+85℃ 供电电压（最大值）: -0.3~8V 封装/外壳: ESOP8
供应商: Anychip Mall
分类: 电池管理
描述: BRCL4056BSE 一款完整的恒定电流/恒定电压线性控制单节锂离子电池充电器，具有电池正负极反接保护 功能。其 ESOP-8 封装与较少的外部元件数目使得 BRCL4056BSE 成为便携式应用的理想选择。 BRCL4056BSE 可以适合 USB 电源和适配器电源工作。 由于采用了内部 PMOSFET 架构，加上防倒充电路，所以不需要外部检测电阻器和隔离二极管。热反馈可 对充电电流进行自动调节，以便在大功率操作或高环境温度条件下对芯片温度加以限制。充满电压固定于 4.20V，而充电电流可通过一个电
产品分类: 电池充电管理芯片电源管理 安装类型: SMT 最小包装: 4000pcs 原产国家: China 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 品牌: BLUE ROCKET 大小/尺寸: 5.10 x 4.10mm 工作温度: -40~+85℃ 供电电压（最大值）: -0.3~8V 封装/外壳: ESOP8