BLUE ROCKET
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BRD2N60
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel Vdss=600V Id=2A Pd=37W
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 击穿电压: 600V 功率耗散: 37W 阈值电压: 4V 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 2A 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 4.5pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4Ω 原产国家: China 输入电容: 320pF 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 600V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel Vdss=600V Id=2A Pd=37W
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 击穿电压: 600V 功率耗散: 37W 阈值电压: 4V 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 2A 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 4.5pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4Ω 原产国家: China 输入电容: 320pF 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 600V 晶体管类型: N沟道
BRCS3407MC
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：-30V 连续漏极电流(Id)：-4.1A 功率(Pd)：1.4W
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 击穿电压: -30V 功率耗散: 1.4W 阈值电压: -1.4V 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.1A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 75pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 54mΩ 原产国家: China 输入电容: 700pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：-30V 连续漏极电流(Id)：-4.1A 功率(Pd)：1.4W
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 击穿电压: -30V 功率耗散: 1.4W 阈值电压: -1.4V 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.1A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 75pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 54mΩ 原产国家: China 输入电容: 700pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
BRCS4606SC
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel,P-Channel SOP8_150MIL Vdss=±30V Vgss=±12V Pd=2W
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 功率耗散: 2W 阈值电压: 1.3V 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 6.9A 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.10mm 封装/外壳: SOP8_150MIL 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 77pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 32.3mΩ 原产国家: China 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.75mm
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel,P-Channel SOP8_150MIL Vdss=±30V Vgss=±12V Pd=2W
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 功率耗散: 2W 阈值电压: 1.3V 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 6.9A 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.10mm 封装/外壳: SOP8_150MIL 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 77pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 32.3mΩ 原产国家: China 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.75mm
BRD70N03
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 击穿电压: 30V 功率耗散: 1.36W 阈值电压: 1.2V 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 62.8A 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 218pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 5.6mΩ 原产国家: China 输入电容: 1.333nF 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 击穿电压: 30V 功率耗散: 1.36W 阈值电压: 1.2V 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 62.8A 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 218pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 5.6mΩ 原产国家: China 输入电容: 1.333nF 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: N沟道
BRCS2302AMA
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel SOT23-3 Vdss=20V Vgss=±10V Is=950mA Pd=900mW
安装类型: SMT 功率耗散: 900mW 击穿电压: 21V 阈值电压: 1V 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 59mΩ@2.5V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 3A 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.50mm 封装/外壳: SOT23-3 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±10V 工作温度: +150℃ 配置: 单路 输入电容: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.30mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel SOT23-3 Vdss=20V Vgss=±10V Is=950mA Pd=900mW
安装类型: SMT 功率耗散: 900mW 击穿电压: 21V 阈值电压: 1V 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 59mΩ@2.5V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 3A 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.50mm 封装/外壳: SOT23-3 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±10V 工作温度: +150℃ 配置: 单路 输入电容: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.30mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
BRCS80N03DP
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel TO252 Vdss=30V Id=80A Idm=300A Vgss=±20V
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 功率耗散: 90W 阈值电压: 1.7V 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 额定功率: 90W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 7mΩ@4.5V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 80A 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 634pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4.8mΩ 原产国家: China 输入电容: 2.09nF 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel TO252 Vdss=30V Id=80A Idm=300A Vgss=±20V
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 功率耗散: 90W 阈值电压: 1.7V 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 额定功率: 90W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 7mΩ@4.5V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 80A 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 634pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4.8mΩ 原产国家: China 输入电容: 2.09nF 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: N沟道
BR8205
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs SOT23-6 N-Channel Vds=20V Idm=20A Vgs=±8V Pd=1.14W
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 功率耗散: 1.14W 阈值电压: 1.2V 额定功率: 1.14W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 30mΩ@2.5V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 6A 长x宽/尺寸: 3.02 x 1.70mm 封装/外壳: SOT23-6 反向传输电容Crss: 150pF 栅极源极击穿电压: ±8V 工作温度: +150℃ 配置: 共漏 原产国家: China 输入电容: 1.035nF 漏源电压(Vdss): 20V 晶体管类型: 2个N沟道 类型: 2个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs SOT23-6 N-Channel Vds=20V Idm=20A Vgs=±8V Pd=1.14W
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 功率耗散: 1.14W 阈值电压: 1.2V 额定功率: 1.14W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 30mΩ@2.5V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 6A 长x宽/尺寸: 3.02 x 1.70mm 封装/外壳: SOT23-6 反向传输电容Crss: 150pF 栅极源极击穿电压: ±8V 工作温度: +150℃ 配置: 共漏 原产国家: China 输入电容: 1.035nF 漏源电压(Vdss): 20V 晶体管类型: 2个N沟道 类型: 2个N沟道
78D05
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: 线性稳压器/LDO TO252-3 Vi=35V Iq=8mA
安装类型: SMT 电源抑制比(PSRR): 62dB 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 压差: 2V@(1A) 极性: Positive 输入电压: 35V 长x宽/尺寸: 6.75 x 6.25mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 输出类型: 固定 工作温度: 0℃~+125℃ 负荷调节: 100mV 原产国家: China 输出电流: 1.5A 静态电流: 8mA 通道数: 1 输出电压: 5V 输出通道数: 1 输入电压（最大值）: 35V 高度: 2.40mm 引脚数: 4Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: 线性稳压器/LDO TO252-3 Vi=35V Iq=8mA
安装类型: SMT 电源抑制比(PSRR): 62dB 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 压差: 2V@(1A) 极性: Positive 输入电压: 35V 长x宽/尺寸: 6.75 x 6.25mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 输出类型: 固定 工作温度: 0℃~+125℃ 负荷调节: 100mV 原产国家: China 输出电流: 1.5A 静态电流: 8mA 通道数: 1 输出电压: 5V 输出通道数: 1 输入电压（最大值）: 35V 高度: 2.40mm 引脚数: 4Pin
BRCS5N10MC
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel Vdss=100V Idm=20A Id=5A Vgss=±20V Pd=830mW SOT23-3
安装类型: SMT 击穿电压: 100V 阈值电压: 3V 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 235mΩ@4.5V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5A 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.50mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: +150℃ 配置: 单路 输入电容: 440pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 100V 高度: 1.30mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel Vdss=100V Idm=20A Id=5A Vgss=±20V Pd=830mW SOT23-3
安装类型: SMT 击穿电压: 100V 阈值电压: 3V 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 235mΩ@4.5V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5A 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.50mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: +150℃ 配置: 单路 输入电容: 440pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 100V 高度: 1.30mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin 类型: 1个N沟道
7805
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: TO-220 塑封封装电压调整器 5V 1.5A
安装类型: 插件 特性: 短路保护；热保护(TSD) 输出配置: Positive 电源抑制比(PSRR): 73dB 压差: 2V@(1A) 极性: 正极 输入电压: 35V 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.70mm 输出类型: 固定 封装/外壳: TO-220-3 负荷调节: 100mV 输出电流: 1.5A 静态电流: 8mA 输出电压精度: ±5% 通道数: 1 最小包装: 50pcs 输出电压: 5V 输入电压（最大值）: 35V 高度: 16.10mm 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: TO-220 塑封封装电压调整器 5V 1.5A
安装类型: 插件 特性: 短路保护；热保护(TSD) 输出配置: Positive 电源抑制比(PSRR): 73dB 压差: 2V@(1A) 极性: 正极 输入电压: 35V 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.70mm 输出类型: 固定 封装/外壳: TO-220-3 负荷调节: 100mV 输出电流: 1.5A 静态电流: 8mA 输出电压精度: ±5% 通道数: 1 最小包装: 50pcs 输出电压: 5V 输入电压（最大值）: 35V 高度: 16.10mm 引脚数: 3Pin