BRD70N03

品牌
BLUE ROCKET
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):62.8A 功率(Pd):62.5W

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:30V
阈值电压:1.2V
额定功率:62.5W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.1mΩ@4.5V
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:62.8A
长x宽/尺寸:6.75 x 6.25mm
封装/外壳:TO-252(DPAK)
元件生命周期:Active
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:+150℃
配置:单路
输入电容:1.333nF
最小包装:2500pcs
漏源电压(Vdss):30V
高度:6.25mm
晶体管类型:N沟道
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
1+¥0.5974
包装:1 库存:2478