BLUE ROCKET
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79D05
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: 线性稳压器/LDO TO252-3 Vo=35V Id=8mA
安装类型: SMT 特性: 短路保护；热保护(TSD) 输出配置: Negative 品牌: BLUE ROCKET 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 压差: 1.4V@(1A) 输入电压: -35V 长x宽/尺寸: 6.75 x 6.25mm 存储温度: -65℃~+150℃ 输出类型: 固定 封装/外壳: TO-252(DPAK) 元件生命周期: Active 工作温度: 0℃~+125℃ 原产国家: China 输出电流: 1A 输出电压: 5V 输出通道数: 1 输入电压（最大值）: 35V 高度: 2.40mm 引脚数: 4Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: 线性稳压器/LDO TO252-3 Vo=35V Id=8mA
安装类型: SMT 特性: 短路保护；热保护(TSD) 输出配置: Negative 品牌: BLUE ROCKET 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 压差: 1.4V@(1A) 输入电压: -35V 长x宽/尺寸: 6.75 x 6.25mm 存储温度: -65℃~+150℃ 输出类型: 固定 封装/外壳: TO-252(DPAK) 元件生命周期: Active 工作温度: 0℃~+125℃ 原产国家: China 输出电流: 1A 输出电压: 5V 输出通道数: 1 输入电压（最大值）: 35V 高度: 2.40mm 引脚数: 4Pin
BRD5N50
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel TO252 Vdss=500V Id=5A Vgss=±30V Pd=2.5W
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 功率耗散: 2.5W 阈值电压: 4V 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5A 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 15pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.14Ω 原产国家: China 输入电容: 480pF 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 500V 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel TO252 Vdss=500V Id=5A Vgss=±30V Pd=2.5W
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 功率耗散: 2.5W 阈值电压: 4V 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5A 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 15pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.14Ω 原产国家: China 输入电容: 480pF 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 500V 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
BRD4N65
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：75W
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 功率耗散: 75W 阈值电压: 4V 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2.7Ω@10V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4A 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 2.2pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 2.7Ω 原产国家: China 输入电容: 560pF 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 650V 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：75W
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 功率耗散: 75W 阈值电压: 4V 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2.7Ω@10V 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4A 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 2.2pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 2.7Ω 原产国家: China 输入电容: 560pF 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 650V 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
7809
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: TO-220 塑封封装电压调整器 9V 1.5A
安装类型: 插件 输出配置: Positive 品牌: BLUE ROCKET 压差: 2V@(1A) 极性: 正极 输入电压: 35V 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: TO-220-3 输出类型: 固定 负荷调节: 180mV 输出电流: 1.5A 静态电流: 8mA 输出电压精度: ±5% 通道数: 1 最小包装: 50pcs 输出电压: 9V 输出通道数: 1 输入电压（最大值）: 35V 高度: 16.10mm 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: TO-220 塑封封装电压调整器 9V 1.5A
安装类型: 插件 输出配置: Positive 品牌: BLUE ROCKET 压差: 2V@(1A) 极性: 正极 输入电压: 35V 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: TO-220-3 输出类型: 固定 负荷调节: 180mV 输出电流: 1.5A 静态电流: 8mA 输出电压精度: ±5% 通道数: 1 最小包装: 50pcs 输出电压: 9V 输出通道数: 1 输入电压（最大值）: 35V 高度: 16.10mm 引脚数: 3Pin
BRD15N10
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs TO252-3 Vdss=100V Id=15A Vgs=±20V Pd=39W
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 击穿电压: 100V 阈值电压: 2.2V 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 15A 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 35pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 80mΩ 原产国家: China 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 100V 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs TO252-3 Vdss=100V Id=15A Vgs=±20V Pd=39W
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 击穿电压: 100V 阈值电压: 2.2V 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 15A 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 35pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 80mΩ 原产国家: China 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 100V 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
BRCS10N15DP
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: BRCS10N15DP
安装类型: SMT 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 3V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 10A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 155V 长x宽/尺寸: 6.75 x 6.25mm 封装/外壳: TO252 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 17pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 182mΩ 原产国家: China 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 150V 高度: 6.25mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: BRCS10N15DP
安装类型: SMT 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 3V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 10A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 155V 长x宽/尺寸: 6.75 x 6.25mm 封装/外壳: TO252 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 17pF 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 182mΩ 原产国家: China 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 150V 高度: 6.25mm 晶体管类型: N沟道
MMBTA94
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SOT-23 PNP 通用三极管 Ic:300mA Vce(Max):400V
安装类型: SMT 额定功率: 350mW 集电极-基极电压（VCBO）: 400V Vce饱和压降: 300mV 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 400V 极性: PNP 跃迁频率: 50MHz 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 400V 集电极电流 Ic: 300mA 最小包装: 3000pcs 特征频率(fT): 50MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 零件状态: Active 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 80~300 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SOT-23 PNP 通用三极管 Ic:300mA Vce(Max):400V
安装类型: SMT 额定功率: 350mW 集电极-基极电压（VCBO）: 400V Vce饱和压降: 300mV 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 400V 极性: PNP 跃迁频率: 50MHz 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 400V 集电极电流 Ic: 300mA 最小包装: 3000pcs 特征频率(fT): 50MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 零件状态: Active 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 80~300 引脚数: 3Pin
MJD350
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 PNP TO252 Vcbo=300V Vebo=5V Ic=500mA Pc=1.56W
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 功率耗散: 1.56W 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 额定功率: 15W 集电极-基极电压（VCBO）: 300V 集射极击穿电压Vce(Max): 300V Vce饱和压降: 10V 包装: Tape/reel 极性: PNP 长x宽/尺寸: 7.50 x 6.75mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 元件生命周期: Active 集电极电流 Ic: 500mA 最小包装: 2500pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 2.40mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 30~240 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 PNP TO252 Vcbo=300V Vebo=5V Ic=500mA Pc=1.56W
安装类型: SMT 品牌: BLUE ROCKET 功率耗散: 1.56W 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 额定功率: 15W 集电极-基极电压（VCBO）: 300V 集射极击穿电压Vce(Max): 300V Vce饱和压降: 10V 包装: Tape/reel 极性: PNP 长x宽/尺寸: 7.50 x 6.75mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 元件生命周期: Active 集电极电流 Ic: 500mA 最小包装: 2500pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 2.40mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 30~240 引脚数: 3Pin
MJE13003F1
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: TO-92 NPN 通用三极管 800mA 5MHz
安装类型: 插件 品牌: BLUE ROCKET 功率耗散: 1W 额定功率: 1W 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 集电极-基极电压（VCBO）: 600V 集射极击穿电压Vce(Max): 400V Vce饱和压降: 500mV 包装: Bag Packing 跃迁频率: 5MHz 长x宽/尺寸: 4.60 x 3.60mm 封装/外壳: TO92-3 元件生命周期: Active 集电极-发射极电压 VCEO: 400V 原产国家: China 特征频率(fT): 5MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 9V 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 10~40 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: TO-92 NPN 通用三极管 800mA 5MHz
安装类型: 插件 品牌: BLUE ROCKET 功率耗散: 1W 额定功率: 1W 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 集电极-基极电压（VCBO）: 600V 集射极击穿电压Vce(Max): 400V Vce饱和压降: 500mV 包装: Bag Packing 跃迁频率: 5MHz 长x宽/尺寸: 4.60 x 3.60mm 封装/外壳: TO92-3 元件生命周期: Active 集电极-发射极电压 VCEO: 400V 原产国家: China 特征频率(fT): 5MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 9V 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 10~40 引脚数: 3Pin
BRCS4484SC
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：1.7W
安装类型: SMT 击穿电压: 40V 阈值电压: 1.4V 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 12mΩ@4.5V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 10A 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.10mm 封装/外壳: SO8 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: +150℃ 配置: 单路 输入电容: 1.5nF 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 27.2nC@10V 高度: 1.75mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：1.7W
安装类型: SMT 击穿电压: 40V 阈值电压: 1.4V 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 12mΩ@4.5V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 10A 长x宽/尺寸: 5.10 x 4.10mm 封装/外壳: SO8 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: +150℃ 配置: 单路 输入电容: 1.5nF 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 27.2nC@10V 高度: 1.75mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道