BRD4N65

品牌
BLUE ROCKET
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):75W

物料参数

安装类型:SMT
品牌:BLUE ROCKET
功率耗散:75W
阈值电压:4V
原始制造商:Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd.
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.7Ω@10V
包装:Tape/reel
连续漏极电流:4A
封装/外壳:TO-252-2(DPAK)
元件生命周期:Active
反向传输电容Crss:2.2pF
工作温度:+150℃
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):2.7Ω
原产国家:China
输入电容:560pF
最小包装:2500pcs
漏源电压(Vdss):650V
晶体管类型:N沟道
类型:1个N沟道
价格梯度 价格
1+¥0.5901
30+¥0.5675
100+¥0.5450
500+¥0.5000
1000+¥0.4774
2000+¥0.4639
包装:1 库存:2500
价格梯度 价格
5+¥0.9187
50+¥0.7297
150+¥0.6487
500+¥0.5477
包装:5 库存:1775