BRD4N65
品牌
BLUE ROCKET
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):75W
物料参数
安装类型: | SMT |
品牌: | BLUE ROCKET |
功率耗散: | 75W |
阈值电压: | 4V |
原始制造商: | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 2.7Ω@10V |
包装: | Tape/reel |
连续漏极电流: | 4A |
封装/外壳: | TO-252-2(DPAK) |
元件生命周期: | Active |
反向传输电容Crss: | 2.2pF |
工作温度: | +150℃ |
配置: | 单路 |
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): | 2.7Ω |
原产国家: | China |
输入电容: | 560pF |
最小包装: | 2500pcs |
漏源电压(Vdss): | 650V |
晶体管类型: | N沟道 |
类型: | 1个N沟道 |
价格梯度 | 价格 |
---|---|
1+ | ¥0.5901 |
30+ | ¥0.5675 |
100+ | ¥0.5450 |
500+ | ¥0.5000 |
1000+ | ¥0.4774 |
2000+ | ¥0.4639 |
包装:1 | 库存:2500 |
价格梯度 | 价格 |
---|---|
5+ | ¥0.9187 |
50+ | ¥0.7297 |
150+ | ¥0.6487 |
500+ | ¥0.5477 |
包装:5 | 库存:1775 |