WINSOK
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WSP4606A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel,P-Channel VDS=30V VGS=±20V SOP8
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 2.5W 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.5V@250uA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 6.8A,5.6A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOP-8 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 30/60mΩ 输入电容: 373pF,760pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel,P-Channel VDS=30V VGS=±20V SOP8
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 2.5W 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.5V@250uA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 6.8A,5.6A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOP-8 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 30/60mΩ 输入电容: 373pF,760pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型 引脚数: 8Pin
WSD50P10DN56
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：34A 功率(Pd)：96W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：32mΩ@10V
安装类型: SMT 阈值电压: 2V@250uA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 34A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 5.85 X 5.40mm 封装/外壳: DFN8_5X6MM 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 32mΩ 输入电容: 2.48nF 漏源电压(Vdss): 100V 认证信息: RoHS 高度: 1.10mm 晶体管类型: P沟道 应用: Consumer 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：34A 功率(Pd)：96W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：32mΩ@10V
安装类型: SMT 阈值电压: 2V@250uA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 34A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 5.85 X 5.40mm 封装/外壳: DFN8_5X6MM 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 32mΩ 输入电容: 2.48nF 漏源电压(Vdss): 100V 认证信息: RoHS 高度: 1.10mm 晶体管类型: P沟道 应用: Consumer 引脚数: 8Pin
WST6401
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: Configuration Single Type P-Ch VDS(V) -20 VGS(V) 12 ID(A)Max. -2.5 VGS(th)(v) -0.7 RDS(ON)(m?)@4.41V 135 Qg(nC)@4.5V 3 QgS(nC) 0.5 Qgd(nC) 0.8 Ciss(pF) 290 Coss(pF) 60 Crss(pF) 34
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 2.5A 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT23N 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 34pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 3nC 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 250mΩ 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 3nC 高度: 1.15mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: Configuration Single Type P-Ch VDS(V) -20 VGS(V) 12 ID(A)Max. -2.5 VGS(th)(v) -0.7 RDS(ON)(m?)@4.41V 135 Qg(nC)@4.5V 3 QgS(nC) 0.5 Qgd(nC) 0.8 Ciss(pF) 290 Coss(pF) 60 Crss(pF) 34
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 2.5A 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT23N 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 34pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 3nC 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 250mΩ 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 3nC 高度: 1.15mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
WSD2068DN
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=7.5A RDS(ON)=15.5mΩ@4.5V
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 阈值电压: 1V 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 7.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.00 x 3.00mm 封装/外壳: DFN6_2X3MM_EP 反向传输电容Crss: 123pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 双路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 15.5mΩ 漏源电压(Vdss): 20V 零件状态: Active 高度: 1.00mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=7.5A RDS(ON)=15.5mΩ@4.5V
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 阈值电压: 1V 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 7.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.00 x 3.00mm 封装/外壳: DFN6_2X3MM_EP 反向传输电容Crss: 123pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 双路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 15.5mΩ 漏源电压(Vdss): 20V 零件状态: Active 高度: 1.00mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 6Pin
WSF3012
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-channel,P-channel VDS=30V VGS=±20V ID=23A,15A RDS(ON)=18mΩ,29mΩ@10V TO252-4
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 32.5W 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 23A,15A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO252-4 漏极电流: 22A 反向传输电容Crss: 60pF,88pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 7.4nC,8nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-channel,P-channel VDS=30V VGS=±20V ID=23A,15A RDS(ON)=18mΩ,29mΩ@10V TO252-4
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 32.5W 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 23A,15A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO252-4 漏极电流: 22A 反向传输电容Crss: 60pF,88pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 7.4nC,8nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型
WSF15N10A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 100 VGS(V) 20 ID(A)Max. 15 VGS(th)(v) 1.5 RDS(ON)(m?)@4.389V 110 Qg(nC)@4.5V - QgS(nC) 3.2 Qgd(nC) 6 Ciss(pF) 730 Coss(pF) 37 Crss(pF) 27
安装类型: SMT 击穿电压: 100V 功率耗散: 40W 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 15A 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 漏极电流: 15A 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 27pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 21.5nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 110mΩ 原产国家: China 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 100V 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 100 VGS(V) 20 ID(A)Max. 15 VGS(th)(v) 1.5 RDS(ON)(m?)@4.389V 110 Qg(nC)@4.5V - QgS(nC) 3.2 Qgd(nC) 6 Ciss(pF) 730 Coss(pF) 37 Crss(pF) 27
安装类型: SMT 击穿电压: 100V 功率耗散: 40W 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 15A 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 漏极电流: 15A 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 27pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 21.5nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 110mΩ 原产国家: China 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 100V 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
WSP4067B
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel, P-Channel VDS=40V VGS=±20V SOP8
安装类型: SMT 阈值电压: 1.6V@250µA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 25mΩ@10V,6A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.20 x 5.00mm 封装/外壳: SOP-8 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 11nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 输入电容: 600pF 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 40V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 11nC@10V 高度: 1.55mm 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型 应用: Consumer
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel, P-Channel VDS=40V VGS=±20V SOP8
安装类型: SMT 阈值电压: 1.6V@250µA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 25mΩ@10V,6A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 6A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.20 x 5.00mm 封装/外壳: SOP-8 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 11nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 输入电容: 600pF 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 40V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 11nC@10V 高度: 1.55mm 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型 应用: Consumer
WST2303
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-Channel VDS=-20V VGS=±8V SOT23-3L
安装类型: SMT 品牌: Winsok 击穿电压: 20V 阈值电压: 0.5V@250uA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 3.8A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT23-3 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 105mΩ 输入电容: 677pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-Channel VDS=-20V VGS=±8V SOT23-3L
安装类型: SMT 品牌: Winsok 击穿电压: 20V 阈值电压: 0.5V@250uA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 3.8A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT23-3 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 105mΩ 输入电容: 677pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
WSP6039
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-Channel VDS=-60V VGS=±20V SOP8_150MIL
安装类型: SMT 击穿电压: 60V 阈值电压: 1.65V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 额定功率: 2W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.5A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOP8_150MIL 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 45pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 17nC 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 88mΩ 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 17nC@10V 高度: 1.45mm 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-Channel VDS=-60V VGS=±20V SOP8_150MIL
安装类型: SMT 击穿电压: 60V 阈值电压: 1.65V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 额定功率: 2W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.5A 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOP8_150MIL 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 45pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 17nC 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 88mΩ 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 17nC@10V 高度: 1.45mm 晶体管类型: P沟道
WSR4N65F
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：39W
安装类型: 插件 品牌: Winsok 功率耗散: 39W 阈值电压: 3V@250µA 包装: Tube packing 连续漏极电流: 4A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.31 x 4.67mm 封装/外壳: TO220F 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 输入电容: 550pF 应用等级: Consumer 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 650V 认证信息: RoHS 高度: 12.86mm 晶体管类型: N沟道 应用: Consumer
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：39W
安装类型: 插件 品牌: Winsok 功率耗散: 39W 阈值电压: 3V@250µA 包装: Tube packing 连续漏极电流: 4A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.31 x 4.67mm 封装/外壳: TO220F 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 输入电容: 550pF 应用等级: Consumer 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 650V 认证信息: RoHS 高度: 12.86mm 晶体管类型: N沟道 应用: Consumer