WINSOK
商品列表
WSF6012
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=20A,15A RDS(ON)=37mΩ,60mΩ@10V TO252-4
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 34.7W 击穿电压: 60V 阈值电压: 2.5V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 20A,15A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO252-4 漏极电流: 20A 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 12.6nC,10nC 配置: 单路 输入电容: 670pF,500pF 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 60V 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=20A,15A RDS(ON)=37mΩ,60mΩ@10V TO252-4
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 34.7W 击穿电压: 60V 阈值电压: 2.5V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 20A,15A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO252-4 漏极电流: 20A 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 12.6nC,10nC 配置: 单路 输入电容: 670pF,500pF 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 60V 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型
WSD100N06GDN56
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs DFN8_5X6MM_EP ID=100A VDS=60V
安装类型: SMT 击穿电压: 60V 阈值电压: 1.8V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 100A 长x宽/尺寸: 5.75 x 4.90mm 封装/外壳: DFN8_5X6MM_EP 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 22pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 58nC 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4.4mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 高度: 1.10mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs DFN8_5X6MM_EP ID=100A VDS=60V
安装类型: SMT 击穿电压: 60V 阈值电压: 1.8V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 100A 长x宽/尺寸: 5.75 x 4.90mm 封装/外壳: DFN8_5X6MM_EP 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 22pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 58nC 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4.4mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 高度: 1.10mm 晶体管类型: N沟道
WSD2018ADN22
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道.20N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：11A 功率(Pd)：2W
安装类型: SMT 功率耗散: 2W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 11A 长x宽/尺寸: 2.08 X 2.08mm 封装/外壳: DFN2X2-6L 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±10V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 32nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 18mΩ 输入电容: 1.177nF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 32nC 高度: 1.00mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道.20N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：11A 功率(Pd)：2W
安装类型: SMT 功率耗散: 2W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 11A 长x宽/尺寸: 2.08 X 2.08mm 封装/外壳: DFN2X2-6L 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±10V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 32nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 18mΩ 输入电容: 1.177nF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 32nC 高度: 1.00mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
WSD40120DN56
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=120A RDS(ON)=2.4mΩ@10V
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 104W 阈值电压: 1.8V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 120A 长x宽/尺寸: 4.90 x 5.75mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN8_4.9X5.75MM 漏极电流: 120A 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 370pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 76nC 配置: 单路 输入电容: 4.35nF 漏源电压(Vdss): 40V 高度: 1.17mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=120A RDS(ON)=2.4mΩ@10V
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 104W 阈值电压: 1.8V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 120A 长x宽/尺寸: 4.90 x 5.75mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN8_4.9X5.75MM 漏极电流: 120A 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 370pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 76nC 配置: 单路 输入电容: 4.35nF 漏源电压(Vdss): 40V 高度: 1.17mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
WST2004
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFET SOT723 N-Channel ID=600mA
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 150mW 阈值电压: 1V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 600mA 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-723-3 漏极电流: 0.4A 栅极源极击穿电压: ±8V 工作温度: +150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 410mΩ 输入电容: 88pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFET SOT723 N-Channel ID=600mA
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 150mW 阈值电压: 1V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 600mA 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-723-3 漏极电流: 0.4A 栅极源极击穿电压: ±8V 工作温度: +150℃(TJ) 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 410mΩ 输入电容: 88pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 晶体管类型: N沟道
WSF3055
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：18.9W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 阈值电压: 1.8V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 24A,19.8A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 2.40mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型 引脚数: 4Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：18.9W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 阈值电压: 1.8V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 24A,19.8A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 2.40mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型 引脚数: 4Pin
WSP9435
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-Channel VDS=-30V VGS=±20V SOP8
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 2.5W 击穿电压: 30V 阈值电压: -1.5V@250uA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 5.4A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOP-8 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 60mΩ 原产国家: China 输入电容: 642pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-Channel VDS=-30V VGS=±20V SOP8
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 2.5W 击穿电压: 30V 阈值电压: -1.5V@250uA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 5.4A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOP-8 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 60mΩ 原产国家: China 输入电容: 642pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin
WSP4447
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=11A RDS(ON)=16mΩ@10V SOP8_150MIL
安装类型: SMT 功率耗散: 2W 阈值电压: 1.9V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 额定功率: 2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 13mΩ@10V,13A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 11A 封装/外壳: SOP8_150MIL 漏极电流: -11A 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 180pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 32nC 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 1.5nF 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 32nC@10V 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=11A RDS(ON)=16mΩ@10V SOP8_150MIL
安装类型: SMT 功率耗散: 2W 阈值电压: 1.9V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 额定功率: 2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 13mΩ@10V,13A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 11A 封装/外壳: SOP8_150MIL 漏极电流: -11A 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 180pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 32nC 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 1.5nF 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 32nC@10V 晶体管类型: P沟道
WST3401A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：1W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.2V@250µA 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 5A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.02 x 1.70mm 封装/外壳: SOT-23 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 48mΩ 应用等级: Consumer 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.15mm 晶体管类型: P沟道 应用: Consumer 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：1W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.2V@250µA 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 5A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.02 x 1.70mm 封装/外壳: SOT-23 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 48mΩ 应用等级: Consumer 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.15mm 晶体管类型: P沟道 应用: Consumer 引脚数: 3Pin
WST02N20
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFET SOT23-6 N-Channel ID=1.2A
安装类型: SMT 功率耗散: 2.5W 阈值电压: 4V 额定功率: 2.5W 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 1.2A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.80mm 封装/外壳: SOT-23-6L 漏极电流: 1.2A 栅极源极击穿电压: ±25V 工作温度: +150℃(TJ) 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 680mΩ 输入电容: 280pF 最小包装: - 漏源电压(Vdss): 200V 高度: 1.25mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFET SOT23-6 N-Channel ID=1.2A
安装类型: SMT 功率耗散: 2.5W 阈值电压: 4V 额定功率: 2.5W 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 1.2A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.80mm 封装/外壳: SOT-23-6L 漏极电流: 1.2A 栅极源极击穿电压: ±25V 工作温度: +150℃(TJ) 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 680mΩ 输入电容: 280pF 最小包装: - 漏源电压(Vdss): 200V 高度: 1.25mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 6Pin