WINSOK
商品列表
WSC15N10
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：60W
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 品牌: Winsok 阈值电压: 2V@250µA 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 15A 存储温度: -55℃~+170℃ 长x宽/尺寸: 6.60 x 2.30mm 封装/外壳: TO-251-3 工作温度: -55℃~+170℃ 配置: 单路 输入电容: 940pF 应用等级: Consumer 最小包装: 80pcs 漏源电压(Vdss): 100V 高度: 6.10mm 晶体管类型: N沟道 应用: Consumer 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：60W
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 品牌: Winsok 阈值电压: 2V@250µA 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 15A 存储温度: -55℃~+170℃ 长x宽/尺寸: 6.60 x 2.30mm 封装/外壳: TO-251-3 工作温度: -55℃~+170℃ 配置: 单路 输入电容: 940pF 应用等级: Consumer 最小包装: 80pcs 漏源电压(Vdss): 100V 高度: 6.10mm 晶体管类型: N沟道 应用: Consumer 引脚数: 3Pin
WST2026
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFET SOT323 N-Channel ID=2A
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 阈值电压: 800mV@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 2A 封装/外壳: SOT-323 漏极电流: 2A 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 60pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 27mΩ 原产国家: China 输入电容: 391pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 0.90mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFET SOT323 N-Channel ID=2A
安装类型: SMT 击穿电压: 20V 阈值电压: 800mV@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 2A 封装/外壳: SOT-323 漏极电流: 2A 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 60pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 27mΩ 原产国家: China 输入电容: 391pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 0.90mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
WSD3023DN56
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N+P沟道 30V/-30V 14A/-12A 14mΩ/23mΩ DFN5X6-8L
安装类型: SMT 阈值电压: 1.8V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 14A,12A 存储温度: -55℃~+175℃ 长x宽/尺寸: 5.85 X 5.40mm 封装/外壳: DFN8_5X6MM 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 5.2,13nC 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 545pF,580pF 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS 高度: 1.17mm 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型 应用: Consumer 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N+P沟道 30V/-30V 14A/-12A 14mΩ/23mΩ DFN5X6-8L
安装类型: SMT 阈值电压: 1.8V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 14A,12A 存储温度: -55℃~+175℃ 长x宽/尺寸: 5.85 X 5.40mm 封装/外壳: DFN8_5X6MM 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 5.2,13nC 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 545pF,580pF 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS 高度: 1.17mm 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型 应用: Consumer 引脚数: 8Pin
WSD50P10ADN56
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: Configuration Single Type P-Ch VDS(V) -100 VGS(V) 20 ID(A)Max. -40 VGS(th)(v) - RDS(ON)(m?)@4.244V - Qg(nC)@4.5V - QgS(nC) 9 Qgd(nC) 18 Ciss(pF) 2590 Coss(pF) 320 Crss(pF) 45
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 104W 额定功率: 104W 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 40A 长x宽/尺寸: 5.85 X 5.40mm 封装/外壳: DFN8_5X6MM 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 75nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 81mΩ 输入电容: 2.59nF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 100KV 栅极电荷(Qg): 75nC 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: Configuration Single Type P-Ch VDS(V) -100 VGS(V) 20 ID(A)Max. -40 VGS(th)(v) - RDS(ON)(m?)@4.244V - Qg(nC)@4.5V - QgS(nC) 9 Qgd(nC) 18 Ciss(pF) 2590 Coss(pF) 320 Crss(pF) 45
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 104W 额定功率: 104W 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 40A 长x宽/尺寸: 5.85 X 5.40mm 封装/外壳: DFN8_5X6MM 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 75nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 81mΩ 输入电容: 2.59nF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 100KV 栅极电荷(Qg): 75nC 晶体管类型: P沟道
WSF20N20
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：50W
安装类型: SMT 阈值电压: 2V@250uA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 20A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 68nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 136mΩ 输入电容: 3.1nF 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 200V 认证信息: RoHS 高度: 2.30mm 晶体管类型: N沟道 应用: Consumer 引脚数: 2pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：50W
安装类型: SMT 阈值电压: 2V@250uA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 20A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 68nC 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 136mΩ 输入电容: 3.1nF 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 200V 认证信息: RoHS 高度: 2.30mm 晶体管类型: N沟道 应用: Consumer 引脚数: 2pin
WSD4062DN56
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=62A RDS(ON)=10.5mΩ@10V
安装类型: SMT 功率耗散: 2.1W 阈值电压: 1.8V@250µA 额定功率: 2.1W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 62A 长x宽/尺寸: 4.90 x 5.75mm 封装/外壳: DFN8_4.9X5.75MM 漏极电流: 62A 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 90pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 76nC 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 1.15nF 漏源电压(Vdss): 40V 高度: 1.17mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=62A RDS(ON)=10.5mΩ@10V
安装类型: SMT 功率耗散: 2.1W 阈值电压: 1.8V@250µA 额定功率: 2.1W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 62A 长x宽/尺寸: 4.90 x 5.75mm 封装/外壳: DFN8_4.9X5.75MM 漏极电流: 62A 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 90pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 76nC 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 1.15nF 漏源电压(Vdss): 40V 高度: 1.17mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
WSF30P06
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：23.5A 功率(Pd)：30W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 30W 阈值电压: -1.65V@250uA 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 23.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 38mΩ 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 60V 高度: 2.40mm 晶体管类型: P沟道 应用: Consumer 引脚数: 2pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：23.5A 功率(Pd)：30W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 30W 阈值电压: -1.65V@250uA 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 23.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 38mΩ 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 60V 高度: 2.40mm 晶体管类型: P沟道 应用: Consumer 引脚数: 2pin
WSF50P04
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：80W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 80W 额定功率: 80W 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 40A 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 72nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 12mΩ 输入电容: 2.96nF 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 72nC 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：80W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 80W 额定功率: 80W 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 40A 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+175℃ 充电电量: 72nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 12mΩ 输入电容: 2.96nF 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 72nC 晶体管类型: P沟道
WSG02P06
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P沟道 60V 2A SOT223
安装类型: SMT 品牌: Winsok 额定功率: 2W 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 2A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.30 x 3.50mm 封装/外壳: SOT-223-3 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 6.3nC 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 215mΩ 输入电容: 12pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 6.3nC 高度: 1.60mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 4Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P沟道 60V 2A SOT223
安装类型: SMT 品牌: Winsok 额定功率: 2W 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 2A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.30 x 3.50mm 封装/外壳: SOT-223-3 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 6.3nC 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 215mΩ 输入电容: 12pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 6.3nC 高度: 1.60mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 4Pin
WSP6024
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=15A RDS(ON)=10mΩ@10V
安装类型: SMT 品牌: Winsok 击穿电压: 60V 阈值电压: 2V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 15A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOP8_150MIL 元件生命周期: Active 漏极电流: 15A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 10mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 高度: 1.75mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=15A RDS(ON)=10mΩ@10V
安装类型: SMT 品牌: Winsok 击穿电压: 60V 阈值电压: 2V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 15A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOP8_150MIL 元件生命周期: Active 漏极电流: 15A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 10mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 高度: 1.75mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin