WSD50P10DN56

品牌
WINSOK
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):34A 功率(Pd):96W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):32mΩ@10V

物料参数

安装类型:SMT
阈值电压:2V@250uA
原始制造商:Winsok power Semiconductor CO., LTD.
包装:Tape/reel
连续漏极电流:34A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:5.85 X 5.40mm
封装/外壳:DFN8_5X6MM
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
原产国家:China
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):32mΩ
输入电容:2.48nF
漏源电压(Vdss):100V
认证信息:RoHS
高度:1.10mm
晶体管类型:P沟道
应用:Consumer
引脚数:8Pin
价格梯度 价格
1+¥4.0425
10+¥3.6750
30+¥3.4300
100+¥3.0625
500+¥2.8910
1000+¥2.7685
包装:1 库存:0