WINSOK
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WSD30L30DN
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: Configuration Single Type P-Ch VDS(V) -30 VGS(V) 20 ID(A)Max. -32 VGS(th)(v) -1.8 RDS(ON)(m?)@4.177V 24 Qg(nC)@4.5V 20 QgS(nC) 1.1 Qgd(nC) 7.7 Ciss(pF) 1000 Coss(pF) 220 Crss(pF) 170
安装类型: SMT 品牌: Winsok 阈值电压: 1.8V@250µA 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 32A 长x宽/尺寸: 3.00 x 3.00mm 封装/外壳: DFN8_3X3MM 漏极电流: -32A 反向传输电容Crss: 170pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 19mΩ 原产国家: China 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.00mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: Configuration Single Type P-Ch VDS(V) -30 VGS(V) 20 ID(A)Max. -32 VGS(th)(v) -1.8 RDS(ON)(m?)@4.177V 24 Qg(nC)@4.5V 20 QgS(nC) 1.1 Qgd(nC) 7.7 Ciss(pF) 1000 Coss(pF) 220 Crss(pF) 170
安装类型: SMT 品牌: Winsok 阈值电压: 1.8V@250µA 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 32A 长x宽/尺寸: 3.00 x 3.00mm 封装/外壳: DFN8_3X3MM 漏极电流: -32A 反向传输电容Crss: 170pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 19mΩ 原产国家: China 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.00mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin
WSF3036A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：32A 功率(Pd)：18W
安装类型: SMT 功率耗散: 18W 阈值电压: 1.5V@250uA 额定功率: 18W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 19mΩ@10V,10A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 32A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 44pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 6.9nC 配置: 单路 输入电容: 510pF 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 6.9nC@4.5V 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：32A 功率(Pd)：18W
安装类型: SMT 功率耗散: 18W 阈值电压: 1.5V@250uA 额定功率: 18W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 19mΩ@10V,10A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 32A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 44pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 6.9nC 配置: 单路 输入电容: 510pF 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 6.9nC@4.5V 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
WSD4098DN56
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=22A RDS(ON)=7.8mΩ@10V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Winsok 功率耗散: 25W 阈值电压: 1.8V@250µA 额定功率: 25W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 22A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 5.75mm 封装/外壳: DFN8_4.9X5.75MM 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 双路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 7.8mΩ 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 22nC@4.5V 晶体管类型: 2个N沟道(双) 类型: 2个N沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=22A RDS(ON)=7.8mΩ@10V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Winsok 功率耗散: 25W 阈值电压: 1.8V@250µA 额定功率: 25W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 22A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 5.75mm 封装/外壳: DFN8_4.9X5.75MM 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 双路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 7.8mΩ 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 22nC@4.5V 晶体管类型: 2个N沟道(双) 类型: 2个N沟道 引脚数: 8Pin
WSP8810
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: Configuration Dual+ESD Type N-Ch VDS(V) 20 VGS(V) 12 ID(A)Max. 7.5 VGS(th)(v) 0.7 RDS(ON)(m?)@4.265V 11.5 Qg(nC)@4.5V 13.5 QgS(nC) 1.5 Qgd(nC) 5.8 Ciss(pF) 900 Coss(pF) 175 Crss(pF) 160
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 1.25W 阈值电压: 700mV@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 7.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.00 x 4.40mm 封装/外壳: TSSOP8_3X4.4MM 漏极电流: 7.5A 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 160pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 13.5nC 配置: 双路 原产国家: China Taiwan 输入电容: 900pF 漏源电压(Vdss): 20V 晶体管类型: 2个N沟道(双)
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: Configuration Dual+ESD Type N-Ch VDS(V) 20 VGS(V) 12 ID(A)Max. 7.5 VGS(th)(v) 0.7 RDS(ON)(m?)@4.265V 11.5 Qg(nC)@4.5V 13.5 QgS(nC) 1.5 Qgd(nC) 5.8 Ciss(pF) 900 Coss(pF) 175 Crss(pF) 160
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 1.25W 阈值电压: 700mV@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 7.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.00 x 4.40mm 封装/外壳: TSSOP8_3X4.4MM 漏极电流: 7.5A 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 160pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 13.5nC 配置: 双路 原产国家: China Taiwan 输入电容: 900pF 漏源电压(Vdss): 20V 晶体管类型: 2个N沟道(双)
WSK200N08A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=80V VGS=±25V ID=200A RDS(ON)=4mΩ@10V TO263
安装类型: SMT 品牌: Winsok 击穿电压: 80V 阈值电压: 3V@250µA 额定功率: 345W 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 200A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-263(D²Pak) 漏极电流: 200A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 输入电容: 8.154nF 最小包装: 800pcs 漏源电压(Vdss): 80V 栅极电荷(Qg): 197nC@10V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=80V VGS=±25V ID=200A RDS(ON)=4mΩ@10V TO263
安装类型: SMT 品牌: Winsok 击穿电压: 80V 阈值电压: 3V@250µA 额定功率: 345W 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 200A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-263(D²Pak) 漏极电流: 200A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 输入电容: 8.154nF 最小包装: 800pcs 漏源电压(Vdss): 80V 栅极电荷(Qg): 197nC@10V 晶体管类型: N沟道
WSF10N40
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 400V 10A 515mΩ TO-252-2L，可应用于汽车电子、POE、LED灯、音响、数码产品、小家电、消费类电子、保护板
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 1.5W 阈值电压: 4V@250uA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 40A 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±25V 反向传输电容Crss: 9pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 25nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.1Ω 输入电容: 740pF 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 400V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 400V 10A 515mΩ TO-252-2L，可应用于汽车电子、POE、LED灯、音响、数码产品、小家电、消费类电子、保护板
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 1.5W 阈值电压: 4V@250uA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 40A 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±25V 反向传输电容Crss: 9pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 25nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.1Ω 输入电容: 740pF 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 400V 晶体管类型: N沟道
WSD30160DN56
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=120A RDS(ON)=2.5mΩ@10V
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.7V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 120A 长x宽/尺寸: 4.90 x 5.75mm 封装/外壳: DFN8_4.9X5.75MM 漏极电流: 120A 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 530pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 38nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 2.5mΩ 原产国家: China 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=120A RDS(ON)=2.5mΩ@10V
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.7V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 120A 长x宽/尺寸: 4.90 x 5.75mm 封装/外壳: DFN8_4.9X5.75MM 漏极电流: 120A 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 530pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 38nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 2.5mΩ 原产国家: China 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: N沟道
WSF40P06
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：17A 功率(Pd)：27W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 27W 额定功率: 27W 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 17A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 25.3nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 90mΩ 输入电容: 1.485nF 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 25.3nC 高度: 2.40mm 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：17A 功率(Pd)：27W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 27W 额定功率: 27W 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 17A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 25.3nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 90mΩ 输入电容: 1.485nF 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 25.3nC 高度: 2.40mm 晶体管类型: P沟道
WSP8212
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=11A RDS(ON)=13mΩ@10V SOP8_150MIL
安装类型: SMT 品牌: Winsok 阈值电压: 720mV@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 11A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOP8_150MIL 漏极电流: 11A 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 双路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 13mΩ 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.75mm 晶体管类型: 2个N沟道(双) 应用: Consumer 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=11A RDS(ON)=13mΩ@10V SOP8_150MIL
安装类型: SMT 品牌: Winsok 阈值电压: 720mV@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 11A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOP8_150MIL 漏极电流: 11A 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 双路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 13mΩ 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.75mm 晶体管类型: 2个N沟道(双) 应用: Consumer 引脚数: 8Pin
WSD3060DN
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=60A RDS(ON)=5.7mΩ@10V
安装类型: SMT 品牌: Winsok 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.8V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 60A 长x宽/尺寸: 3.00 x 3.00mm 封装/外壳: DFN8_3X3MM 漏极电流: 60A 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.00mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=60A RDS(ON)=5.7mΩ@10V
安装类型: SMT 品牌: Winsok 击穿电压: 30V 阈值电压: 1.8V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 60A 长x宽/尺寸: 3.00 x 3.00mm 封装/外壳: DFN8_3X3MM 漏极电流: 60A 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.00mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 8Pin