WSD30160DN56

品牌
WINSOK
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=120A RDS(ON)=2.5mΩ@10V

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:30V
阈值电压:1.7V@250µA
原始制造商:Winsok power Semiconductor CO., LTD
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:120A
长x宽/尺寸:4.90 x 5.75mm
封装/外壳:DFN8_4.9X5.75MM
漏极电流:120A
栅极源极击穿电压:±20V
反向传输电容Crss:530pF
工作温度:-55℃~+150℃
充电电量:38nC
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):2.5mΩ
原产国家:China
最小包装:5000pcs
漏源电压(Vdss):30V
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
1+¥2.2475
10+¥2.1025
50+¥1.8850
150+¥1.7400
300+¥1.6385
500+¥1.5950
包装:1 库存:499
价格梯度 价格
1+¥2.4800
10+¥2.1800
30+¥2.0500
100+¥1.8800
500+¥1.5900
1000+¥1.5400
包装:1 库存:1443