WINSOK
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WST2333
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=6A RDS(ON)=32mΩ@4.5V SOT23N
安装类型: SMT 品牌: Winsok 击穿电压: 20V 阈值电压: 500mV@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 6A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23N 漏极电流: -6A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 32mΩ 原产国家: China 输入电容: 1.025nF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=6A RDS(ON)=32mΩ@4.5V SOT23N
安装类型: SMT 品牌: Winsok 击穿电压: 20V 阈值电压: 500mV@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 6A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23N 漏极电流: -6A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 32mΩ 原产国家: China 输入电容: 1.025nF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
WST6008
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 30V 0.3A 140mΩ SOT-523-3L，可应用于手表、手环、微型便携数码、保护板、通讯模块
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 300mW 阈值电压: 1V@100µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 300mA 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 1.70 x 0.90mm 封装/外壳: SOT-523-3 漏极电流: 0.154A 反向传输电容Crss: 20pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 140mΩ 原产国家: China 输入电容: 180pF 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 30V 0.3A 140mΩ SOT-523-3L，可应用于手表、手环、微型便携数码、保护板、通讯模块
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 300mW 阈值电压: 1V@100µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 300mA 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 1.70 x 0.90mm 封装/外壳: SOT-523-3 漏极电流: 0.154A 反向传输电容Crss: 20pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 140mΩ 原产国家: China 输入电容: 180pF 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
WSP4068
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=10A RDS(ON)=19mΩ@10V
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 2.08W 阈值电压: 1.8V@250µA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 13.5mΩ@10V,12A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 10A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOP8_150MIL 元件生命周期: Active 漏极电流: 10A 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 9.4nC 配置: 单路 输入电容: 1.125nF 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 9.4nC@4.5V 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=10A RDS(ON)=19mΩ@10V
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 2.08W 阈值电压: 1.8V@250µA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 13.5mΩ@10V,12A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 10A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.90 x 3.90mm 封装/外壳: SOP8_150MIL 元件生命周期: Active 漏极电流: 10A 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 9.4nC 配置: 单路 输入电容: 1.125nF 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 9.4nC@4.5V 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
WSE9968
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFET SOT89 N-Channel ID=4.2A
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 3.5W 阈值电压: 1.5V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 4.2A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.62 x 2.62mm 封装/外壳: SOT89-3 反向传输电容Crss: 24pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 16nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 80mΩ 输入电容: 740pF 漏源电压(Vdss): 100V 高度: 1.50mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFET SOT89 N-Channel ID=4.2A
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 3.5W 阈值电压: 1.5V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 4.2A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.62 x 2.62mm 封装/外壳: SOT89-3 反向传输电容Crss: 24pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 16nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 80mΩ 输入电容: 740pF 漏源电压(Vdss): 100V 高度: 1.50mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
WST6004
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N-Channel Vdss=20V SOT-523
安装类型: SMT 功率耗散: 175mW 阈值电压: 1V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD. 包装: Tube packing 连续漏极电流: 600mA 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 1.70 x 0.90mm 封装/外壳: SOT-523-3 漏极电流: 0.6A 反向传输电容Crss: 16pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 输入电容: 130pF 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 20V 认证信息: RoHS 晶体管类型: N沟道 应用: Consumer
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N-Channel Vdss=20V SOT-523
安装类型: SMT 功率耗散: 175mW 阈值电压: 1V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD. 包装: Tube packing 连续漏极电流: 600mA 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 1.70 x 0.90mm 封装/外壳: SOT-523-3 漏极电流: 0.6A 反向传输电容Crss: 16pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 输入电容: 130pF 应用等级: Consumer 漏源电压(Vdss): 20V 认证信息: RoHS 晶体管类型: N沟道 应用: Consumer
WSD3810DN
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs DFN8_3X3MM_EP ID=18A VDS=30V
安装类型: SMT 品牌: Winsok 阈值电压: 1.6V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 18A 封装/外壳: DFN8_3X3MM_EP 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 22pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 8nC 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 455pF 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs DFN8_3X3MM_EP ID=18A VDS=30V
安装类型: SMT 品牌: Winsok 阈值电压: 1.6V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 18A 封装/外壳: DFN8_3X3MM_EP 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 22pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 8nC 配置: 单路 原产国家: China 输入电容: 455pF 最小包装: 5000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道
WSF40N10A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=31A RDS(ON)=55mΩ@10V TO252
安装类型: SMT 击穿电压: 100V 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 31A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 漏极电流: 31A 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 55mΩ 原产国家: China 输入电容: 3.84nF 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 100V 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=31A RDS(ON)=55mΩ@10V TO252
安装类型: SMT 击穿电压: 100V 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 31A 长x宽/尺寸: 6.60 x 6.10mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 漏极电流: 31A 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 55mΩ 原产国家: China 输入电容: 3.84nF 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 100V 高度: 2.40mm 晶体管类型: N沟道
WSP4812
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 2N-Channel VDS=30V VGS=±20V SOP8
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 2W 额定功率: 2W 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 8A 长x宽/尺寸: 6.20 x 5.00mm 封装/外壳: SOP-8 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 8.4nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 32mΩ 输入电容: 701pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 8.4nC 晶体管类型: 2个N沟道(双)
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs 2N-Channel VDS=30V VGS=±20V SOP8
安装类型: SMT 品牌: Winsok 功率耗散: 2W 额定功率: 2W 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 8A 长x宽/尺寸: 6.20 x 5.00mm 封装/外壳: SOP-8 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 8.4nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 32mΩ 输入电容: 701pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 8.4nC 晶体管类型: 2个N沟道(双)
WST2301
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.9A 功率(Pd)：1W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 击穿电压: 20V 阈值电压: -0.5V@250uA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 2.9A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT23N 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 185mΩ 原产国家: China 输入电容: 332pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.9A 功率(Pd)：1W
安装类型: SMT 品牌: Winsok 击穿电压: 20V 阈值电压: -0.5V@250uA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 2.9A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT23N 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 185mΩ 原产国家: China 输入电容: 332pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
WSP6047
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-Channel VDS=-60V VGS=±20V SOP8
安装类型: SMT 击穿电压: 60V 阈值电压: -1.74V@250uA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4A 长x宽/尺寸: 6.20 x 5.00mm 封装/外壳: SOP-8 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 60pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 80mΩ 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 23nC@10V 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-Channel VDS=-60V VGS=±20V SOP8
安装类型: SMT 击穿电压: 60V 阈值电压: -1.74V@250uA 原始制造商: Winsok power Semiconductor CO., LTD 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4A 长x宽/尺寸: 6.20 x 5.00mm 封装/外壳: SOP-8 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 60pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 80mΩ 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 23nC@10V 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型 引脚数: 8Pin