GOFORD
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GT55N06
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):53A 功率(Pd):70W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.8mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.7V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):16nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):1.988nF@30V 反向传输电容(Crss@Vds):14pF@30V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):53A 功率(Pd):70W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.8mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.7V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):16nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):1.988nF@30V 反向传输电容(Crss@Vds):14pF@30V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
G12P10K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):12A 功率(Pd):40W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):200mΩ@10V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):12A 功率(Pd):40W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):200mΩ@10V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250μA