GOFORD
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XM2N200
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):190V 连续漏极电流(Id):2A 功率(Pd):3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):560mΩ@4.5V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250μA 香薰机雾化用
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):190V 连续漏极电流(Id):2A 功率(Pd):3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):560mΩ@4.5V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250μA 香薰机雾化用
3415A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):45mΩ@4A,4.5V P管,-20V,-5.6A,开启-0.68V,35.8mΩ@10V,46.4mΩ@-4.5V
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):45mΩ@4A,4.5V P管,-20V,-5.6A,开启-0.68V,35.8mΩ@10V,46.4mΩ@-4.5V
GT045N10T
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):130A 功率(Pd):156W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.1mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):101.6nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):6.124nF@50V 反向传输电容(Crss@Vds):15pF@50V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):130A 功率(Pd):156W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.1mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):101.6nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):6.124nF@50V 反向传输电容(Crss@Vds):15pF@50V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)