GOFORD

场效应管(MOSFET)

类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：53A 功率(Pd)：70W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.8mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.7V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：16nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.988nF@30V 反向传输电容(Crss@Vds)：14pF@30V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)