G12P10K
品牌
GOFORD
供应商
分类
场效应管(MOSFET)
描述
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：40W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：200mΩ@10V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA