XM2N200
品牌
GOFORD
供应商
分类
场效应管(MOSFET)
描述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：190V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：560mΩ@4.5V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA 香薰机雾化用