GOFORD
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G18N20K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):18A 功率(Pd):65.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):160mΩ@10V,9A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):18A 功率(Pd):65.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):160mΩ@10V,9A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250μA
80N06-251
供应商: Anychip Mall
分类: 80N06-251
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:13mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):71W(Tc) 类型:N沟道 -
供应商: Anychip Mall
分类: 80N06-251
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:13mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):71W(Tc) 类型:N沟道 -