GOFORD
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G08N03D2
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):8A 功率(Pd):17W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):8A 功率(Pd):17W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250μA
G86N06K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):68A 功率(Pd):88W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5mΩ 60V 68A 7.9mΩ@10V
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):68A 功率(Pd):88W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5mΩ 60V 68A 7.9mΩ@10V
20N06-252
供应商: Anychip Mall
分类: 20N06-252 停产
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 60V,20A,80mΩ@4.5V
供应商: Anychip Mall
分类: 20N06-252 停产
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 60V,20A,80mΩ@4.5V