G18N20K
品牌
GOFORD
供应商
分类
场效应管(MOSFET)
描述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：18A 功率(Pd)：65.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：160mΩ@10V,9A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA