TOSHIBA
Toshiba is a world leader and innovator in pioneering high technology, a diversified manufacturer and marketer of advanced electronic and electrical products spanning information & communications systems; digital consumer products; electronic devices and components; power systems, including nuclear energy; industrial and social infrastructure systems; and home appliances. Toshiba was founded in 1875, and today operates a global network of more than 740 companies, with 204,000 employees worldwide and annual sales surpassing 6.3 trillion yen (US$68 billion).
商品列表
TBAT54C,LM
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 30V 140MA SOT23
Current-ReverseLeakage@Vr: 2 µA @ 25 V Current-AverageRectified(Io)(perDiode): 140mA Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Category: Discrete Semiconductor ProductsDiodesRectifiersDiode Arrays RoHSStatus: ROHS3 Compliant ProductStatus: Active Package/Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 ReverseRecoveryTime(trr): 1.5 ns MountingType: Surface Mount Series: - SupplierDevicePackage: SOT-23-3 BaseProductNumber: TBAT54 Voltage-Forward(Vf)(Max)@If: 580 mV @ 100 mA Technology: Schottky Voltage-DCReverse(Vr)(Max): 30 V OperatingTemperature-Junction: 150°C (Max) Mfr: Toshiba Semiconductor and Storage Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® HTSUS: 8541.10.0070 DiodeConfiguration: 1 Pair Common Cathode
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 30V 140MA SOT23
Current-ReverseLeakage@Vr: 2 µA @ 25 V Current-AverageRectified(Io)(perDiode): 140mA Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Category: Discrete Semiconductor ProductsDiodesRectifiersDiode Arrays RoHSStatus: ROHS3 Compliant ProductStatus: Active Package/Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 ReverseRecoveryTime(trr): 1.5 ns MountingType: Surface Mount Series: - SupplierDevicePackage: SOT-23-3 BaseProductNumber: TBAT54 Voltage-Forward(Vf)(Max)@If: 580 mV @ 100 mA Technology: Schottky Voltage-DCReverse(Vr)(Max): 30 V OperatingTemperature-Junction: 150°C (Max) Mfr: Toshiba Semiconductor and Storage Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® HTSUS: 8541.10.0070 DiodeConfiguration: 1 Pair Common Cathode
TC74AC640FTEL
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器
描述: IC TXRX INVERT 5.5V 20TSSOP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: TC74AC 零件状态: 不适用于新设计 逻辑类型: 收发器，反相 每个元件位数: 8 输入类型: - 输出类型: 三态 电流 - 输出高、低: 24mA，24mA 电压 - 供电: 2V ~ 5.5V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 20-TSSOP（0.173，4.40mm 宽） 供应商器件封装: 20-TSSOP 元件数: 1 基本产品编号: TC74AC640
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器
描述: IC TXRX INVERT 5.5V 20TSSOP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: TC74AC 零件状态: 不适用于新设计 逻辑类型: 收发器，反相 每个元件位数: 8 输入类型: - 输出类型: 三态 电流 - 输出高、低: 24mA，24mA 电压 - 供电: 2V ~ 5.5V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 20-TSSOP（0.173，4.40mm 宽） 供应商器件封装: 20-TSSOP 元件数: 1 基本产品编号: TC74AC640
SSM6N15FE(TE85L,F)
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
类别: 分立半导体产品 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 剪切带（CT） 零件状态: Digi-Key 已不再提供 FET类型: 2 个 N 沟道（双） FET功能: 逻辑电平门 漏源极电压（Vdss）: 30V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 100mA 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4 欧姆 @ 10mA，4V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 1.5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: - 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 7.8pF @ 3V 功率-最大值: 150mW 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SOT-563，SOT-666 供应商器件封装: ES6（1.6x1.6）
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
类别: 分立半导体产品 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 剪切带（CT） 零件状态: Digi-Key 已不再提供 FET类型: 2 个 N 沟道（双） FET功能: 逻辑电平门 漏源极电压（Vdss）: 30V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 100mA 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4 欧姆 @ 10mA，4V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 1.5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: - 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 7.8pF @ 3V 功率-最大值: 150mW 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SOT-563，SOT-666 供应商器件封装: ES6（1.6x1.6）
TLP291-4(TP,E
供应商: DigiKey
分类: 光隔离器 - 晶体管，光电输出
类别: 隔离器 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 剪切带（CT） 零件状态: 在售 通道数: 4 电压-隔离: 2500Vrms 电流传输比（最小值）: 50% @ 5mA 电流传输比（最大值）: 400% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）: 3µs，3µs 上升/下降时间（典型值）: 2µs，3µs 输入类型: DC 输出类型: 晶体管 电压-输出（最大值）: 80V 电流-输出/通道: 50mA 电压-正向（Vf）（典型值）: 1.2V 电流-DC正向（If）: 50mA Vce饱和值（最大值）: 400mV 工作温度: -55°C ~ 110°C 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 16-SOIC（0.179，4.55mm 宽） 供应商器件封装: 16-SO
供应商: DigiKey
分类: 光隔离器 - 晶体管，光电输出
类别: 隔离器 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 剪切带（CT） 零件状态: 在售 通道数: 4 电压-隔离: 2500Vrms 电流传输比（最小值）: 50% @ 5mA 电流传输比（最大值）: 400% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）: 3µs，3µs 上升/下降时间（典型值）: 2µs，3µs 输入类型: DC 输出类型: 晶体管 电压-输出（最大值）: 80V 电流-输出/通道: 50mA 电压-正向（Vf）（典型值）: 1.2V 电流-DC正向（If）: 50mA Vce饱和值（最大值）: 400mV 工作温度: -55°C ~ 110°C 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 16-SOIC（0.179，4.55mm 宽） 供应商器件封装: 16-SO
SSM3J118TU(TE85L)
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET P-CH 30V 1.4A UFM
Vgs(th)(Max)@Id: - Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs FETFeature: - DriveVoltage(MaxRdsOn,MinRdsOn): 4V, 10V SupplierDevicePackage: UFM BaseProductNumber: SSM3J118 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C: 1.4A (Ta) Vgs(Max): ±20V Mfr: Toshiba Semiconductor and Storage PowerDissipation(Max): 500mW (Ta) RoHSStatus: RoHS Compliant DraintoSourceVoltage(Vdss): 30 V OperatingTemperature: 150°C (TJ) ProductStatus: Active RdsOn(Max)@Id,Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V Package/Case: 3-SMD, Flat Leads MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 MountingType: Surface Mount InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds: 137 pF @ 15 V Series: U-MOSII FETType: P-Channel Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® HTSUS: 8541.21.0095
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET P-CH 30V 1.4A UFM
Vgs(th)(Max)@Id: - Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs FETFeature: - DriveVoltage(MaxRdsOn,MinRdsOn): 4V, 10V SupplierDevicePackage: UFM BaseProductNumber: SSM3J118 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C: 1.4A (Ta) Vgs(Max): ±20V Mfr: Toshiba Semiconductor and Storage PowerDissipation(Max): 500mW (Ta) RoHSStatus: RoHS Compliant DraintoSourceVoltage(Vdss): 30 V OperatingTemperature: 150°C (TJ) ProductStatus: Active RdsOn(Max)@Id,Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V Package/Case: 3-SMD, Flat Leads MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 MountingType: Surface Mount InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds: 137 pF @ 15 V Series: U-MOSII FETType: P-Channel Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® HTSUS: 8541.21.0095
TPC8042(TE12L,Q,M)
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: - 包装: Digi-Reel® FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 30V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 18A（Ta） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 3.4 毫欧 @ 9A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 56nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 2900pF @ 10V 功率-最大值: - 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 8-SOIC（0.173，4.40mm 宽） 供应商器件封装: 8-SOP（5.5x6.0） 其它名称: TPC8042TE12LQMDKR
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: - 包装: Digi-Reel® FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 30V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 18A（Ta） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 3.4 毫欧 @ 9A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 56nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 2900pF @ 10V 功率-最大值: - 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 8-SOIC（0.173，4.40mm 宽） 供应商器件封装: 8-SOP（5.5x6.0） 其它名称: TPC8042TE12LQMDKR
SSM3K17FU,LF
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 50V 100MA USM
Vgs(th)(Max)@Id: 1.5V @ 1µA Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs FETFeature: - DriveVoltage(MaxRdsOn,MinRdsOn): 2.5V, 4V SupplierDevicePackage: USM BaseProductNumber: SSM3K17 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C: 100mA (Ta) Vgs(Max): ±7V Mfr: Toshiba Semiconductor and Storage PowerDissipation(Max): 150mW (Ta) RoHSStatus: ROHS3 Compliant DraintoSourceVoltage(Vdss): 50 V OperatingTemperature: 150°C (TJ) ProductStatus: Active RdsOn(Max)@Id,Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V Package/Case: SC-70, SOT-323 MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 MountingType: Surface Mount InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds: 7 pF @ 3 V Series: π-MOSV FETType: N-Channel Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® HTSUS: 8541.21.0095
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 50V 100MA USM
Vgs(th)(Max)@Id: 1.5V @ 1µA Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs FETFeature: - DriveVoltage(MaxRdsOn,MinRdsOn): 2.5V, 4V SupplierDevicePackage: USM BaseProductNumber: SSM3K17 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C: 100mA (Ta) Vgs(Max): ±7V Mfr: Toshiba Semiconductor and Storage PowerDissipation(Max): 150mW (Ta) RoHSStatus: ROHS3 Compliant DraintoSourceVoltage(Vdss): 50 V OperatingTemperature: 150°C (TJ) ProductStatus: Active RdsOn(Max)@Id,Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V Package/Case: SC-70, SOT-323 MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 MountingType: Surface Mount InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds: 7 pF @ 3 V Series: π-MOSV FETType: N-Channel Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® HTSUS: 8541.21.0095
TC7SET02F,LJ(CT
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 栅极和逆变器
描述: IC GATE NOR 1CH 2-INP SMV
NumberofCircuits: 1 Category: Integrated Circuits (ICs)LogicGates and Inverters NumberofInputs: 2 RoHSStatus: ROHS3 Compliant LogicType: NOR Gate OperatingTemperature: -40°C ~ 85°C ProductStatus: Active Voltage-Supply: 4.5V ~ 5.5V Current-OutputHigh,Low: 8mA, 8mA Package/Case: SC-74A, SOT-753 MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 MountingType: Surface Mount InputLogicLevel-High: 2V Series: TC7SET SupplierDevicePackage: SMV BaseProductNumber: 7SET02 Mfr: Toshiba Semiconductor and Storage MaxPropagationDelay@V,MaxCL: 9ns @ 5V, 50pF Features: - Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® HTSUS: 8542.39.0001 Current-Quiescent(Max): 2 µA InputLogicLevel-Low: 0.8V
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 栅极和逆变器
描述: IC GATE NOR 1CH 2-INP SMV
NumberofCircuits: 1 Category: Integrated Circuits (ICs)LogicGates and Inverters NumberofInputs: 2 RoHSStatus: ROHS3 Compliant LogicType: NOR Gate OperatingTemperature: -40°C ~ 85°C ProductStatus: Active Voltage-Supply: 4.5V ~ 5.5V Current-OutputHigh,Low: 8mA, 8mA Package/Case: SC-74A, SOT-753 MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 MountingType: Surface Mount InputLogicLevel-High: 2V Series: TC7SET SupplierDevicePackage: SMV BaseProductNumber: 7SET02 Mfr: Toshiba Semiconductor and Storage MaxPropagationDelay@V,MaxCL: 9ns @ 5V, 50pF Features: - Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® HTSUS: 8542.39.0001 Current-Quiescent(Max): 2 µA InputLogicLevel-Low: 0.8V
RN1910FE(T5L,F,T)
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置
描述: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: 有源 晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V 电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧 电阻器 - 发射极 (R2): - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 120 @ 1mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO） 频率 - 跃迁: 250MHz 功率 - 最大值: 100mW 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOT-563，SOT-666 供应商器件封装: ES6 基本产品编号: TLP352
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置
描述: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: 有源 晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V 电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧 电阻器 - 发射极 (R2): - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 120 @ 1mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO） 频率 - 跃迁: 250MHz 功率 - 最大值: 100mW 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOT-563，SOT-666 供应商器件封装: ES6 基本产品编号: TLP352
2SK2865(TE16L1,NQ)
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: - 包装: 带卷（TR） FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 600V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 2A（Ta） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 5 欧姆 @ 1A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 9nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 380pF @ 10V 功率-最大值: 20W 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装: PW-MOLD
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: - 包装: 带卷（TR） FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 600V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 2A（Ta） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 5 欧姆 @ 1A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 9nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 380pF @ 10V 功率-最大值: 20W 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装: PW-MOLD