TOSHIBA
Toshiba is a world leader and innovator in pioneering high technology, a diversified manufacturer and marketer of advanced electronic and electrical products spanning information & communications systems; digital consumer products; electronic devices and components; power systems, including nuclear energy; industrial and social infrastructure systems; and home appliances. Toshiba was founded in 1875, and today operates a global network of more than 740 companies, with 204,000 employees worldwide and annual sales surpassing 6.3 trillion yen (US$68 billion).
商品列表
RN1604(TE85L,F)
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置
描述: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: 在售 晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V 电阻器 - 基极 (R1): 47 千欧 电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 80 @ 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO） 频率 - 跃迁: 250MHz 功率 - 最大值: 300mW 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-74，SOT-457 供应商器件封装: SM6 基本产品编号: RN1604
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置
描述: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: 在售 晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式（双） 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V 电阻器 - 基极 (R1): 47 千欧 电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 80 @ 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO） 频率 - 跃迁: 250MHz 功率 - 最大值: 300mW 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-74，SOT-457 供应商器件封装: SM6 基本产品编号: RN1604
TC74HC590AP(F)
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 计数器，除法器
描述: IC COUNTER/REG CMOS 8-BIT 16DIP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: 74HC 包装: 管件 零件状态: 停产 逻辑类型: 二进制计数器 方向: 上 复位: 异步 定时: - 触发器类型: 正边沿 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: 16-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 16-DIP 元件数: 1 每个元件位数: 8 计数速率: 62 MHz 电压 - 供电: 2 V ~ 6 V 基本产品编号: TB67S265
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 计数器，除法器
描述: IC COUNTER/REG CMOS 8-BIT 16DIP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: 74HC 包装: 管件 零件状态: 停产 逻辑类型: 二进制计数器 方向: 上 复位: 异步 定时: - 触发器类型: 正边沿 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: 16-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 16-DIP 元件数: 1 每个元件位数: 8 计数速率: 62 MHz 电压 - 供电: 2 V ~ 6 V 基本产品编号: TB67S265
TA8428K(O,S)
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 电机驱动器，控制器
描述: IC MOTOR DRIVER 7V-27V 7HSIP
电机类型-步进: - 电机类型-AC，DC: 有刷直流 功能: 驱动器 - 全集成，控制和功率级 输出配置: 半桥（2） 接口: 并联 技术: 双极性 步进分辨率: - 应用: 通用 电流-输出: 1.5A 电压-电源: 7V ~ 27V 电压-负载: 7V ~ 27V 工作温度: -30°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 7-SIP 裸露接片 供应商器件封装: 7-HSIP
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 电机驱动器，控制器
描述: IC MOTOR DRIVER 7V-27V 7HSIP
电机类型-步进: - 电机类型-AC，DC: 有刷直流 功能: 驱动器 - 全集成，控制和功率级 输出配置: 半桥（2） 接口: 并联 技术: 双极性 步进分辨率: - 应用: 通用 电流-输出: 1.5A 电压-电源: 7V ~ 27V 电压-负载: 7V ~ 27V 工作温度: -30°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 7-SIP 裸露接片 供应商器件封装: 7-HSIP
TCM9001MD(ES)
供应商: DigiKey
分类: 传感器，变送器
类别: 传感器，变送器 家庭: 图像传感器，相机 系列: - 包装: 托盘 类型: CMOS 像素尺寸: 2.2µm x 2.2µm 有源像素阵列: 648H x 492V 每秒帧数: 30 电压-电源: 1.8V，2.8V 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块 工作温度: -20°C ~ 60°C（TA） 其它名称: TCM9001MDTCM9001MD-ND
供应商: DigiKey
分类: 传感器，变送器
类别: 传感器，变送器 家庭: 图像传感器，相机 系列: - 包装: 托盘 类型: CMOS 像素尺寸: 2.2µm x 2.2µm 有源像素阵列: 648H x 492V 每秒帧数: 30 电压-电源: 1.8V，2.8V 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块 工作温度: -20°C ~ 60°C（TA） 其它名称: TCM9001MDTCM9001MD-ND
SSM3K7002BS,LF
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 60V 200MA S-MINI
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 200mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.1 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 200mW（Ta） 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: S-Mini 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 漏源电压（Vdss）: 60 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 17 pF @ 25 V 基本产品编号: 2SC4793
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 60V 200MA S-MINI
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 200mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.1 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 200mW（Ta） 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: S-Mini 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 漏源电压（Vdss）: 60 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 17 pF @ 25 V 基本产品编号: 2SC4793
2SK2777(SM,Q)
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: - 包装: 散装 FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 600V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 6A（Ta） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.25 欧姆 @ 3A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 30nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 1300pF @ 10V 功率-最大值: 65W 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装: TO-220SM
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: - 包装: 散装 FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 600V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 6A（Ta） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.25 欧姆 @ 3A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 30nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 1300pF @ 10V 功率-最大值: 65W 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装: TO-220SM
TK100A08N1,S4X
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 80V 100A TO220SIS
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.2 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 45W（Tc） 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220SIS 封装/外壳: TO-220-3 整包 漏源电压（Vdss）: 80V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 130nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 9000pF @ 40V 基本产品编号: 2SK2915
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 80V 100A TO220SIS
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.2 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 45W（Tc） 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220SIS 封装/外壳: TO-220-3 整包 漏源电压（Vdss）: 80V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 130nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 9000pF @ 40V 基本产品编号: 2SK2915
RN1316(TE85L,F)
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: 晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式 系列: - 包装: Digi-Reel® 晶体管类型: NPN - 预偏压 电流-集电极（Ic）（最大值）: 100mA 电压-集射极击穿（最大值）: 50V 电阻器-基底（R1）（欧姆）: 4.7k 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）: 10k 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 50 @ 10mA，5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: 300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止（最大值）: 500nA 频率-跃迁: 250MHz 功率-最大值: 100mW 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SC-70，SOT-323 供应商器件封装: USM 其它名称: RN1316(TE85LF)DKR
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: 晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式 系列: - 包装: Digi-Reel® 晶体管类型: NPN - 预偏压 电流-集电极（Ic）（最大值）: 100mA 电压-集射极击穿（最大值）: 50V 电阻器-基底（R1）（欧姆）: 4.7k 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）: 10k 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 50 @ 10mA，5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: 300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止（最大值）: 500nA 频率-跃迁: 250MHz 功率-最大值: 100mW 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SC-70，SOT-323 供应商器件封装: USM 其它名称: RN1316(TE85LF)DKR
TLP781(F)
供应商: DigiKey
分类: 光隔离器 - 晶体管，光电输出
描述: OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-DIP
通道数: 1 电压-隔离: 5000Vrms 电流传输比（最小值）: 50% @ 5mA 电流传输比（最大值）: 600% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）: 3µs，3µs 上升/下降时间（典型值）: 2µs，3µs 输入类型: DC 输出类型: 晶体管 电压-输出（最大值）: 80V 电流-输出/通道: 50mA 电压-正向（Vf）（典型值）: 1.15V 电流-DC正向（If）: 60mA Vce饱和值（最大值）: 400mV 工作温度: -55°C ~ 110°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: 4-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 4-DIP
供应商: DigiKey
分类: 光隔离器 - 晶体管，光电输出
描述: OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-DIP
通道数: 1 电压-隔离: 5000Vrms 电流传输比（最小值）: 50% @ 5mA 电流传输比（最大值）: 600% @ 5mA 打开/关闭时间（典型值）: 3µs，3µs 上升/下降时间（典型值）: 2µs，3µs 输入类型: DC 输出类型: 晶体管 电压-输出（最大值）: 80V 电流-输出/通道: 50mA 电压-正向（Vf）（典型值）: 1.15V 电流-DC正向（If）: 60mA Vce饱和值（最大值）: 400mV 工作温度: -55°C ~ 110°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: 4-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 4-DIP
RN1111CT(TPL3)
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
描述: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: 停產 晶体管类型: NPN - 预偏压 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 300 @ 1mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 150mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-101，SOT-883 供应商器件封装: CST3 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 50 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 20 V 电阻器 - 基极 (R1): 10 kOhms 功率 - 最大值: 50 mW 基本产品编号: SSM3J321
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
描述: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: 停產 晶体管类型: NPN - 预偏压 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 300 @ 1mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 150mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-101，SOT-883 供应商器件封装: CST3 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 50 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 20 V 电阻器 - 基极 (R1): 10 kOhms 功率 - 最大值: 50 mW 基本产品编号: SSM3J321