TOSHIBA
Toshiba is a world leader and innovator in pioneering high technology, a diversified manufacturer and marketer of advanced electronic and electrical products spanning information & communications systems; digital consumer products; electronic devices and components; power systems, including nuclear energy; industrial and social infrastructure systems; and home appliances. Toshiba was founded in 1875, and today operates a global network of more than 740 companies, with 204,000 employees worldwide and annual sales surpassing 6.3 trillion yen (US$68 billion).
商品列表
74LCX540FT(AE)
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器
类别: 集成电路（IC） 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: TC74LCX 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 逻辑类型: 缓冲器，反向 元件数: 1 每元件位数: 8 输入类型: - 输出类型: 推挽式 电流-输出高，低: 24mA，24mA 电压-电源: 1.65 V ~ 3.6 V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 20-TSSOP（0.173，4.40mm 宽） 供应商器件封装: 20-TSSOP
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器
类别: 集成电路（IC） 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: TC74LCX 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 逻辑类型: 缓冲器，反向 元件数: 1 每元件位数: 8 输入类型: - 输出类型: 推挽式 电流-输出高，低: 24mA，24mA 电压-电源: 1.65 V ~ 3.6 V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 20-TSSOP（0.173，4.40mm 宽） 供应商器件封装: 20-TSSOP
TC7WHU04FK(TE85L,F
供应商: DigiKey
分类: 集成电路（IC）
类别: 集成电路（IC） 家庭: 逻辑 - 栅极和逆变器 系列: TC7WHU 包装: 带卷（TR） 逻辑类型: 反相器 电路数: 3 输入数: 3 特性: - 电压-电源: 2 V ~ 5.5 V 电流-静态（最大值）: 2µA 电流-输出高，低: 8mA，8mA 逻辑电平-低: 0.3V 逻辑电平-高: 1.7V 不同V，最大CL时的最大传播延迟: 7ns @ 5V，50pF 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: US8 封装/外壳: 8-VFSOP（0.091，2.30mm 宽）
供应商: DigiKey
分类: 集成电路（IC）
类别: 集成电路（IC） 家庭: 逻辑 - 栅极和逆变器 系列: TC7WHU 包装: 带卷（TR） 逻辑类型: 反相器 电路数: 3 输入数: 3 特性: - 电压-电源: 2 V ~ 5.5 V 电流-静态（最大值）: 2µA 电流-输出高，低: 8mA，8mA 逻辑电平-低: 0.3V 逻辑电平-高: 1.7V 不同V，最大CL时的最大传播延迟: 7ns @ 5V，50pF 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: US8 封装/外壳: 8-VFSOP（0.091，2.30mm 宽）
SSM6N61NU,LF
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: 在售 FET 类型: 2 N-通道（双） FET 功能: 逻辑电平栅极，1.5V 驱动 漏源电压（Vdss）: 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 33 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 3.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 410pF @ 10V 功率 - 最大值: 2W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 6-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装: 6-UDFNB（2x2） 基本产品编号: SSM6N61
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: 在售 FET 类型: 2 N-通道（双） FET 功能: 逻辑电平栅极，1.5V 驱动 漏源电压（Vdss）: 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 33 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 3.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 410pF @ 10V 功率 - 最大值: 2W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 6-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装: 6-UDFNB（2x2） 基本产品编号: SSM6N61
RN2110MFV(TPL3)
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: 晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式 系列: - 包装: 带卷（TR） 晶体管类型: PNP - 预偏压 电流-集电极（Ic）（最大值）: 100mA 电压-集射极击穿（最大值）: 50V 电阻器-基底（R1）（欧姆）: 4.7k 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）: - 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 120 @ 1mA，5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: 300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO） 频率-跃迁: - 功率-最大值: 100mW 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SOT-723 供应商器件封装: VESM
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: 晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式 系列: - 包装: 带卷（TR） 晶体管类型: PNP - 预偏压 电流-集电极（Ic）（最大值）: 100mA 电压-集射极击穿（最大值）: 50V 电阻器-基底（R1）（欧姆）: 4.7k 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）: - 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 120 @ 1mA，5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: 300mV @ 500µA，5mA 电流-集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO） 频率-跃迁: - 功率-最大值: 100mW 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SOT-723 供应商器件封装: VESM
CLH02(TE16R,Q)
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 300V 3A L-FLAT
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停产 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 3A（DC） 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: L-FLAT™ 供应商器件封装: L-FLAT™（4x5.5） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 300 V 反向恢复时间 (trr): 35 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 3 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 300 V 基本产品编号: TL1L4
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 300V 3A L-FLAT
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停产 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 3A（DC） 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: L-FLAT™ 供应商器件封装: L-FLAT™（4x5.5） 工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 300 V 反向恢复时间 (trr): 35 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 3 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 300 V 基本产品编号: TL1L4
2SK3309(TE24L,Q)
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停产 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 650 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 1mA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 65W（Tc） 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-220SM 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 漏源电压（Vdss）: 450 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 23 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 920 pF @ 10 V 基本产品编号: TC58FVM6
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停产 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 650 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 1mA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 65W（Tc） 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-220SM 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 漏源电压（Vdss）: 450 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 23 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 920 pF @ 10 V 基本产品编号: TC58FVM6
TPC8051-H(TE12L,Q)
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI-H 包装: 剪切带（CT） 零件状态: Digi-Key 已不再提供 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 80V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 13A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.3V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 85nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 7540pF @ 10V Vgs（最大值）: ±20V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 1W（Ta） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 9.7 毫欧 @ 6.5A，10V 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 8-SOP（5.5x6.0） 封装/外壳: 8-SOIC（0.173，4.40mm 宽）
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI-H 包装: 剪切带（CT） 零件状态: Digi-Key 已不再提供 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 80V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 13A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 4.5V，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.3V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 85nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 7540pF @ 10V Vgs（最大值）: ±20V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 1W（Ta） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 9.7 毫欧 @ 6.5A，10V 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 8-SOP（5.5x6.0） 封装/外壳: 8-SOIC（0.173，4.40mm 宽）
TLP222G(TP1,F)
供应商: DigiKey
分类: 固态继电器
描述: SSR RELAY SPST-NO 120MA 0-350V
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: TLP222G 包装: 剪切带（CT） 零件状态: 有源 安装类型: 表面贴装型 电路: SPST-NO（1 Form A） 输出类型: AC，DC 电压 - 输入: 1.15VDC 端接样式: 鸥翼 封装/外壳: 4-SMD（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 4-SMD 负载电流: 120 mA 导通电阻（最大值）: 50 Ohms 电压 - 负载: 0 V ~ 350.0 V 基本产品编号: TLP222
供应商: DigiKey
分类: 固态继电器
描述: SSR RELAY SPST-NO 120MA 0-350V
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: TLP222G 包装: 剪切带（CT） 零件状态: 有源 安装类型: 表面贴装型 电路: SPST-NO（1 Form A） 输出类型: AC，DC 电压 - 输入: 1.15VDC 端接样式: 鸥翼 封装/外壳: 4-SMD（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 4-SMD 负载电流: 120 mA 导通电阻（最大值）: 50 Ohms 电压 - 负载: 0 V ~ 350.0 V 基本产品编号: TLP222
TLP559(F)
供应商: DigiKey
分类: 光隔离器 - 晶体管，光电输出
描述: OPTOISOLATOR 2.5KV TRANS 8-DIP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 管件 零件状态: 最后售卖 电压 - 隔离: 2500Vrms 电流传输比（最小值）: 20% @ 16mA 电流传输比（最大值）: - 接通 / 关断时间（典型值）: 200ns，300ns 上升/下降时间（典型值）: - 输入类型: DC 输出类型: 晶体管 电压 - 输出（最大值）: 15V 电流 - 输出/通道: 8mA 电压 - 正向 (Vf)（典型值）: 1.65V Vce 饱和压降（最大）: - 工作温度: -55°C ~ 100°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: 8-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 8-DIP 通道数: 1 电流 - DC 正向 (If)（最大值）: 25 mA 基本产品编号: TLP559
供应商: DigiKey
分类: 光隔离器 - 晶体管，光电输出
描述: OPTOISOLATOR 2.5KV TRANS 8-DIP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 管件 零件状态: 最后售卖 电压 - 隔离: 2500Vrms 电流传输比（最小值）: 20% @ 16mA 电流传输比（最大值）: - 接通 / 关断时间（典型值）: 200ns，300ns 上升/下降时间（典型值）: - 输入类型: DC 输出类型: 晶体管 电压 - 输出（最大值）: 15V 电流 - 输出/通道: 8mA 电压 - 正向 (Vf)（典型值）: 1.65V Vce 饱和压降（最大）: - 工作温度: -55°C ~ 100°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: 8-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 8-DIP 通道数: 1 电流 - DC 正向 (If)（最大值）: 25 mA 基本产品编号: TLP559