SSM6N15FE(TE85L,F)
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分类
分立半导体产品>>晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
物料参数
| 类别: | 分立半导体产品 |
| 制造商: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 系列: | - |
| 包装: | 剪切带（CT） |
| 零件状态: | Digi-Key 已不再提供 |
| FET类型: | 2 个 N 沟道（双） |
| FET功能: | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压（Vdss）: | 30V |
| 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: | 100mA |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 4 欧姆 @ 10mA，4V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: | 1.5V @ 100µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: | 7.8pF @ 3V |
| 功率-最大值: | 150mW |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商器件封装: | ES6（1.6x1.6） |