TOSHIBA
Toshiba is a world leader and innovator in pioneering high technology, a diversified manufacturer and marketer of advanced electronic and electrical products spanning information & communications systems; digital consumer products; electronic devices and components; power systems, including nuclear energy; industrial and social infrastructure systems; and home appliances. Toshiba was founded in 1875, and today operates a global network of more than 740 companies, with 204,000 employees worldwide and annual sales surpassing 6.3 trillion yen (US$68 billion).
商品列表
TC74ACT245P
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器
描述: IC TXRX NON-INVERT 5.5V 20DIP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: TC74ACT 包装: 管件 零件状态: 停产 逻辑类型: 收发器，非反相 每个元件位数: 8 输入类型: - 输出类型: 三态 电流 - 输出高、低: 24mA，24mA 电压 - 供电: 4.5V ~ 5.5V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 20-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 20-DIP 元件数: 1 基本产品编号: TK110
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器
描述: IC TXRX NON-INVERT 5.5V 20DIP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: TC74ACT 包装: 管件 零件状态: 停产 逻辑类型: 收发器，非反相 每个元件位数: 8 输入类型: - 输出类型: 三态 电流 - 输出高、低: 24mA，24mA 电压 - 供电: 4.5V ~ 5.5V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 20-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 20-DIP 元件数: 1 基本产品编号: TK110
TPCC8103(TE12L,QM)
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * 零件状态: 最後搶購 FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A（Ta） 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 12 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 1mA FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 700mW（Ta），27W（Tc） 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-TSON Advance（3.3x3.3） 封装/外壳: 8-PowerVDFN 漏源电压（Vdss）: 30V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 38nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1600pF @ 10V 基本产品编号: TB62215
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * 零件状态: 最後搶購 FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A（Ta） 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 12 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 1mA FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 700mW（Ta），27W（Tc） 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-TSON Advance（3.3x3.3） 封装/外壳: 8-PowerVDFN 漏源电压（Vdss）: 30V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 38nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1600pF @ 10V 基本产品编号: TB62215
TLP624BVF
供应商: DigiKey
分类: 隔离器
类别: 隔离器 家庭: 光隔离器 - 晶体管，光电输出 系列: - 包装: 管件 通道数: 1 电压-隔离: 5000Vrms 电流传输比（最小值）: 100% @ 1mA 电流传输比（最大值）: 1200% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）: 10µs，8µs 上升/下降时间（典型值）: 8µs，8µs 输入类型: DC 输出类型: 晶体管 电压-输出（最大值）: 55V 电流-输出/通道: 50mA 电压-正向（Vf）（典型值）: 1.15V 电流-DC正向（If）: 60mA Vce饱和值（最大值）: 400mV 工作温度: -55°C ~ 100°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: 4-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 4-DIP
供应商: DigiKey
分类: 隔离器
类别: 隔离器 家庭: 光隔离器 - 晶体管，光电输出 系列: - 包装: 管件 通道数: 1 电压-隔离: 5000Vrms 电流传输比（最小值）: 100% @ 1mA 电流传输比（最大值）: 1200% @ 1mA 打开/关闭时间（典型值）: 10µs，8µs 上升/下降时间（典型值）: 8µs，8µs 输入类型: DC 输出类型: 晶体管 电压-输出（最大值）: 55V 电流-输出/通道: 50mA 电压-正向（Vf）（典型值）: 1.15V 电流-DC正向（If）: 60mA Vce饱和值（最大值）: 400mV 工作温度: -55°C ~ 100°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: 4-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 4-DIP
TK13A65U(STA4,Q,M)
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 650V 13A TO220SIS
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: DTMOSII 包装: 管件 零件状态: 最後搶購 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 380 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 1mA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 40W（Tc） 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220SIS 封装/外壳: TO-220-3 整包 漏源电压（Vdss）: 650V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 17nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 950pF @ 10V 基本产品编号: RN2971
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 650V 13A TO220SIS
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: DTMOSII 包装: 管件 零件状态: 最後搶購 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 380 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 1mA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 40W（Tc） 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220SIS 封装/外壳: TO-220-3 整包 漏源电压（Vdss）: 650V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 17nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 950pF @ 10V 基本产品编号: RN2971
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TC75S51FU(TE85L,F)
供应商: DigiKey
分类: 线性 - 放大器 - 仪表，运算放大器，缓冲器放大器
类别: 集成电路（IC） 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 剪切带（CT） 零件状态: Digi-Key 已不再提供 放大器类型: 通用 电路数: 1 输出类型: - 压摆率: 0.5 V/µs -3db带宽: - 电流-输入偏置: 1pA 电压-输入失调: 2mV 电流-电源: 60µA 电流-输出/通道: - 电压-电源，单/双（±）: 1.5 V ~ 7 V，±0.75 V ~ 3.5 V 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装: USV
供应商: DigiKey
分类: 线性 - 放大器 - 仪表，运算放大器，缓冲器放大器
类别: 集成电路（IC） 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 剪切带（CT） 零件状态: Digi-Key 已不再提供 放大器类型: 通用 电路数: 1 输出类型: - 压摆率: 0.5 V/µs -3db带宽: - 电流-输入偏置: 1pA 电压-输入失调: 2mV 电流-电源: 60µA 电流-输出/通道: - 电压-电源，单/双（±）: 1.5 V ~ 7 V，±0.75 V ~ 3.5 V 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装: USV
DF2S5.6SC(TPL3)
供应商: DigiKey
分类: 电路保护
类别: 电路保护 家庭: TVS - 二极管 系列: - 包装: Digi-Reel® 类型: 齐纳 单向通道: 1 双向通道: - 电压-反向关态（典型值）: 3.5V 电压-击穿（最小值）: 5.3V 电压-箝位（最大值）@Ipp: - 电流-峰值脉冲（10/1000µs）: - 功率-峰值脉冲: - 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时的电容: 20pF @ 1MHz 工作温度: - 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 2-SMD，无引线 供应商器件封装: SC2 其它名称: DF2S5.6SC(TPL3)DKR
供应商: DigiKey
分类: 电路保护
类别: 电路保护 家庭: TVS - 二极管 系列: - 包装: Digi-Reel® 类型: 齐纳 单向通道: 1 双向通道: - 电压-反向关态（典型值）: 3.5V 电压-击穿（最小值）: 5.3V 电压-箝位（最大值）@Ipp: - 电流-峰值脉冲（10/1000µs）: - 功率-峰值脉冲: - 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时的电容: 20pF @ 1MHz 工作温度: - 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 2-SMD，无引线 供应商器件封装: SC2 其它名称: DF2S5.6SC(TPL3)DKR
RN2403(T5L,F,T)
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: 晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式 系列: - 包装: 带卷（TR） 晶体管类型: PNP - 预偏压 电流-集电极（Ic）（最大值）: 100mA 电压-集射极击穿（最大值）: 50V 电阻器-基底（R1）（欧姆）: 22k 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）: 22k 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 70 @ 10mA，5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: 300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止（最大值）: 500nA 频率-跃迁: 200MHz 功率-最大值: 200mW 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: S-Mini 其它名称: RN2403(T5LFT)RN2403T5LFT
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: 晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式 系列: - 包装: 带卷（TR） 晶体管类型: PNP - 预偏压 电流-集电极（Ic）（最大值）: 100mA 电压-集射极击穿（最大值）: 50V 电阻器-基底（R1）（欧姆）: 22k 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）: 22k 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 70 @ 10mA，5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: 300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止（最大值）: 500nA 频率-跃迁: 200MHz 功率-最大值: 200mW 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: S-Mini 其它名称: RN2403(T5LFT)RN2403T5LFT
TCS11SLU(TE85L,F)
供应商: DigiKey
分类: 磁性传感器 - 开关（固态）
描述: MAGNETIC SWITCH UNIPOLAR UFV
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: TCS 零件状态: 停產 功能: 单极开关 技术: 霍尔效应 极化: 南极 感应范围: 2.5mT 跳闸，0.3mT 释放 测试条件: 25°C 电压 - 供电: 2.3V ~ 3.6V 电流 - 供电（最大值）: 1.3mA 电流 - 输出（最大值）: 5mA 输出类型: 开路漏极 特性: - 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: UFV 封装/外壳: 6-SMD（5引线），扁引线 基本产品编号: DF2B6.8
供应商: DigiKey
分类: 磁性传感器 - 开关（固态）
描述: MAGNETIC SWITCH UNIPOLAR UFV
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: TCS 零件状态: 停產 功能: 单极开关 技术: 霍尔效应 极化: 南极 感应范围: 2.5mT 跳闸，0.3mT 释放 测试条件: 25°C 电压 - 供电: 2.3V ~ 3.6V 电流 - 供电（最大值）: 1.3mA 电流 - 输出（最大值）: 5mA 输出类型: 开路漏极 特性: - 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: UFV 封装/外壳: 6-SMD（5引线），扁引线 基本产品编号: DF2B6.8
2SK2991(Q)
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: - 包装: 散装 FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 500V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 5A（Ta） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.5 欧姆 @ 2.5A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 17nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 780pF @ 10V 功率-最大值: 50W 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-3（SMT）标片 供应商器件封装: TO-220FL
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: - 包装: 散装 FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 500V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 5A（Ta） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.5 欧姆 @ 2.5A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 17nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 780pF @ 10V 功率-最大值: 50W 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-3（SMT）标片 供应商器件封装: TO-220FL
TC74HC4051AFT(EL,M
供应商: DigiKey
分类: 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器
描述: IC MUX/DEMUX 8X1 16TSSOP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: Digi-Key 停产 开关电路: - 多路复用器/解复用器电路: 8：1 导通电阻（最大值）: 100 欧姆 通道至通道匹配 (ΔRon): 5 欧姆 电压 - 电源，单 (V+): 2V ~ 6V 电压 - 供电，双 (V±): ±2V ~ 6V 开关时间 (Ton, Toff)（最大值）: 18ns，29ns（标准） -3db 带宽: 85MHz 电荷注入: - 沟道电容 (CS(off)，CD(off)): 2pF，70pF 电流 - 漏泄 (IS(off))（最大值）: 100nA 串扰: -50dB @ 1MHz 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 16-TSSOP（0.173，4.40mm 宽） 供应商器件封装: 16-TSSOP 电路数: 1 基本产品编号: TC55NEM208
供应商: DigiKey
分类: 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器
描述: IC MUX/DEMUX 8X1 16TSSOP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: Digi-Key 停产 开关电路: - 多路复用器/解复用器电路: 8：1 导通电阻（最大值）: 100 欧姆 通道至通道匹配 (ΔRon): 5 欧姆 电压 - 电源，单 (V+): 2V ~ 6V 电压 - 供电，双 (V±): ±2V ~ 6V 开关时间 (Ton, Toff)（最大值）: 18ns，29ns（标准） -3db 带宽: 85MHz 电荷注入: - 沟道电容 (CS(off)，CD(off)): 2pF，70pF 电流 - 漏泄 (IS(off))（最大值）: 100nA 串扰: -50dB @ 1MHz 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 16-TSSOP（0.173，4.40mm 宽） 供应商器件封装: 16-TSSOP 电路数: 1 基本产品编号: TC55NEM208