TK100A08N1,S4X
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分立半导体产品>>晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述
MOSFET N-CH 80V 100A TO220SIS
物料参数
| 制造商: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 系列: | U-MOSVIII-H |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 有源 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 3.2 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 1mA |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 45W（Tc） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220SIS |
| 封装/外壳: | TO-220-3 整包 |
| 漏源电压（Vdss）: | 80V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 130nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 9000pF @ 40V |
| 基本产品编号: | 2SK2915 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 50+ | ¥2.3570 |
| 包装：50 | 库存：0 |