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TK13A65U(STA4,Q,M)
品牌
![TOSHIBA](/media/crawlerbrands/68804.gif)
供应商
![DigiKey](/media/crawlersuplys/digikey.png)
分类
分立半导体产品>>晶体管 - FET,MOSFET - 单个
描述
MOSFET N-CH 650V 13A TO220SIS
物料参数
制造商: | Toshiba Semiconductor and Storage |
系列: | DTMOSII |
包装: | 管件 |
零件状态: | 最後搶購 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 13A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 380 毫欧 @ 6.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5V @ 1mA |
Vgs(最大值): | ±30V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 40W(Tc) |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-220SIS |
封装/外壳: | TO-220-3 整包 |
漏源电压(Vdss): | 650V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 17nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 950pF @ 10V |
基本产品编号: | RN2971 |
无库存