TK13A65U(STA4,Q,M)
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分立半导体产品>>晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述
MOSFET N-CH 650V 13A TO220SIS
物料参数
| 制造商: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 系列: | DTMOSII |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 最後搶購 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 13A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 380 毫欧 @ 6.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5V @ 1mA |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 40W（Tc） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220SIS |
| 封装/外壳: | TO-220-3 整包 |
| 漏源电压（Vdss）: | 650V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 17nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 950pF @ 10V |
| 基本产品编号: | RN2971 |
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