TOSHIBA
Toshiba is a world leader and innovator in pioneering high technology, a diversified manufacturer and marketer of advanced electronic and electrical products spanning information & communications systems; digital consumer products; electronic devices and components; power systems, including nuclear energy; industrial and social infrastructure systems; and home appliances. Toshiba was founded in 1875, and today operates a global network of more than 740 companies, with 204,000 employees worldwide and annual sales surpassing 6.3 trillion yen (US$68 billion).
商品列表
U20DL2C48A(TE24L,Q
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE ARRAY GP 200V 20A TO220SM
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停产 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 20A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装: TO-220SM 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200 V 反向恢复时间 (trr): 35 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 980 mV @ 10 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50 µA @ 200 V 基本产品编号: TC7USB221
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE ARRAY GP 200V 20A TO220SM
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停产 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 20A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装: TO-220SM 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200 V 反向恢复时间 (trr): 35 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 980 mV @ 10 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50 µA @ 200 V 基本产品编号: TC7USB221
TB6549FG(O,EL)
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 电机驱动器，控制器
描述: IC MOTOR DRIVER 10V-27V 20HSOP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: 有源 电机类型 - 步进: - 电机类型 - AC，DC: 有刷直流 功能: 驱动器 - 全集成，控制和功率级 输出配置: 半桥（2） 接口: PWM，串行 技术: Bi-CMOS 步进分辨率: - 应用: 通用 电流 - 输出: 3.5A 电压 - 供电: 10V ~ 27V 电压 - 负载: 10V ~ 27V 工作温度: -20°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 20-BSOP（0.346，8.80mm 宽）+ 2 热凸片 供应商器件封装: 20-HSOP 基本产品编号: TB6549
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 电机驱动器，控制器
描述: IC MOTOR DRIVER 10V-27V 20HSOP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: 有源 电机类型 - 步进: - 电机类型 - AC，DC: 有刷直流 功能: 驱动器 - 全集成，控制和功率级 输出配置: 半桥（2） 接口: PWM，串行 技术: Bi-CMOS 步进分辨率: - 应用: 通用 电流 - 输出: 3.5A 电压 - 供电: 10V ~ 27V 电压 - 负载: 10V ~ 27V 工作温度: -20°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 20-BSOP（0.346，8.80mm 宽）+ 2 热凸片 供应商器件封装: 20-HSOP 基本产品编号: TB6549
RN4988(T5L,F,T)
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
描述: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
晶体管类型: 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流-集电极（Ic）（最大值）: 100mA 电压-集射极击穿（最大值）: 50V 电阻器-基底（R1）: 22 千欧 电阻器-发射极基底（R2）: 47 千欧 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 80 @ 10mA，5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: 300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止（最大值）: 100µA（ICBO） 频率-跃迁: 250MHz，200MHz 功率-最大值: 200mW 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装: US6
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
描述: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
晶体管类型: 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流-集电极（Ic）（最大值）: 100mA 电压-集射极击穿（最大值）: 50V 电阻器-基底（R1）: 22 千欧 电阻器-发射极基底（R2）: 47 千欧 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 80 @ 10mA，5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: 300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止（最大值）: 100µA（ICBO） 频率-跃迁: 250MHz，200MHz 功率-最大值: 200mW 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装: US6
TLP2116(TP,F)
供应商: DigiKey
分类: 光隔离器 - 逻辑输出
描述: OPTOISO 2.5KV 2CH PUSH PULL 8SO
通道数: 2 输入-输入侧1/输入侧2: 2/0 电压-隔离: 2500Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）: 10kV/µs 输入类型: DC 输出类型: 推挽式/图腾柱 电流-输出/通道: 10mA 数据速率: 15MBd 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）: 75ns，75ns 上升/下降时间（典型值）: 15ns，15ns 电压-正向（Vf）（典型值）: 1.65V 电流-DC正向（If）: 20mA 电压-电源: 4.5V ~ 5.5V 工作温度: -40°C ~ 100°C 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SO
供应商: DigiKey
分类: 光隔离器 - 逻辑输出
描述: OPTOISO 2.5KV 2CH PUSH PULL 8SO
通道数: 2 输入-输入侧1/输入侧2: 2/0 电压-隔离: 2500Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）: 10kV/µs 输入类型: DC 输出类型: 推挽式/图腾柱 电流-输出/通道: 10mA 数据速率: 15MBd 传播延迟tpLH/tpHL（最大值）: 75ns，75ns 上升/下降时间（典型值）: 15ns，15ns 电压-正向（Vf）（典型值）: 1.65V 电流-DC正向（If）: 20mA 电压-电源: 4.5V ~ 5.5V 工作温度: -40°C ~ 100°C 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SO
TPCC8009,LQ(O
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIV 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 24A（Ta） 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 200µA FET 功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-TSON Advance（3.3x3.3） 封装/外壳: 8-PowerVDFN 漏源电压（Vdss）: 30V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 26nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1270pF @ 10V 基本产品编号: TLP115
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIV 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 24A（Ta） 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 200µA FET 功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-TSON Advance（3.3x3.3） 封装/外壳: 8-PowerVDFN 漏源电压（Vdss）: 30V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 26nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1270pF @ 10V 基本产品编号: TLP115
TC7SET14FU(T5L,F,T
供应商: DigiKey
分类: 集成电路（IC）
类别: 集成电路（IC） 家庭: 逻辑 - 栅极和逆变器 系列: TC7SET 包装: Digi-Reel® 逻辑类型: 反相器 电路数: 1 输入数: 1 特性: 施密特触发器 电压-电源: 4.5 V ~ 5.5 V 电流-静态（最大值）: 2µA 电流-输出高，低: 8mA，8mA 逻辑电平-低: 0.5 V ~ 0.6 V 逻辑电平-高: 1.9 V ~ 2.1 V 不同V，最大CL时的最大传播延迟: 9.6ns @ 5V，50pF 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: USV 封装/外壳: 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 其它名称: TC7SET14FU(T5LFTDKR
供应商: DigiKey
分类: 集成电路（IC）
类别: 集成电路（IC） 家庭: 逻辑 - 栅极和逆变器 系列: TC7SET 包装: Digi-Reel® 逻辑类型: 反相器 电路数: 1 输入数: 1 特性: 施密特触发器 电压-电源: 4.5 V ~ 5.5 V 电流-静态（最大值）: 2µA 电流-输出高，低: 8mA，8mA 逻辑电平-低: 0.5 V ~ 0.6 V 逻辑电平-高: 1.9 V ~ 2.1 V 不同V，最大CL时的最大传播延迟: 9.6ns @ 5V，50pF 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: USV 封装/外壳: 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 其它名称: TC7SET14FU(T5LFTDKR
TPC8032-H(TE12LQM)
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A（Ta） 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6.5 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1mA FET 功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-SOP（5.5x6.0） 封装/外壳: 8-SOIC（0.173，4.40mm 宽） 漏源电压（Vdss）: 30V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 33nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2846pF @ 10V 基本产品编号: 4N35
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A（Ta） 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6.5 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1mA FET 功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-SOP（5.5x6.0） 封装/外壳: 8-SOIC（0.173，4.40mm 宽） 漏源电压（Vdss）: 30V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 33nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2846pF @ 10V 基本产品编号: 4N35
RN4989FE(TE85L,F)
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: 晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式 系列: - 包装: Digi-Reel® 晶体管类型: 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流-集电极（Ic）（最大值）: 100mA 电压-集射极击穿（最大值）: 50V 电阻器-基底（R1）（欧姆）: 47k 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）: 22k 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 70 @ 10mA，5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: 300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO） 频率-跃迁: 250MHz 功率-最大值: 100mW 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SOT-563，SOT-666 供应商器件封装: ES6 其它名称: RN4989FE(TE85LF)DKR
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: 晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式 系列: - 包装: Digi-Reel® 晶体管类型: 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流-集电极（Ic）（最大值）: 100mA 电压-集射极击穿（最大值）: 50V 电阻器-基底（R1）（欧姆）: 47k 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）: 22k 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 70 @ 10mA，5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: 300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO） 频率-跃迁: 250MHz 功率-最大值: 100mW 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SOT-563，SOT-666 供应商器件封装: ES6 其它名称: RN4989FE(TE85LF)DKR
DF2B12M2SC
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: TVS DIODE 8V 18V SC2
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: 停產 类型: 齐纳 电压 - 反向断态（典型值）: 8V（最大） 电压 - 击穿（最小值）: 10V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 18V（标准） 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 1A（8/20µs） 功率 - 峰值脉冲: - 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: 0.2pF @ 1MHz 工作温度: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 0201（0603 公制） 供应商器件封装: SC2 双向通道: 1 基本产品编号: 2SC2235
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: TVS DIODE 8V 18V SC2
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: 停產 类型: 齐纳 电压 - 反向断态（典型值）: 8V（最大） 电压 - 击穿（最小值）: 10V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 18V（标准） 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 1A（8/20µs） 功率 - 峰值脉冲: - 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: 0.2pF @ 1MHz 工作温度: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 0201（0603 公制） 供应商器件封装: SC2 双向通道: 1 基本产品编号: 2SC2235