TOSHIBA
Toshiba is a world leader and innovator in pioneering high technology, a diversified manufacturer and marketer of advanced electronic and electrical products spanning information & communications systems; digital consumer products; electronic devices and components; power systems, including nuclear energy; industrial and social infrastructure systems; and home appliances. Toshiba was founded in 1875, and today operates a global network of more than 740 companies, with 204,000 employees worldwide and annual sales surpassing 6.3 trillion yen (US$68 billion).
商品列表
TPCA8028-H(TE12LQM
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 30V 50A 8SOP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIV-H 零件状态: 停产 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.8 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.3V @ 1mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1.6W（Ta），45W（Tc） 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-SOP Advance（5x5） 封装/外壳: 8-PowerVDFN 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 88 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 7800 pF @ 10 V 基本产品编号: TLP734
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 30V 50A 8SOP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIV-H 零件状态: 停产 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.8 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.3V @ 1mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1.6W（Ta），45W（Tc） 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-SOP Advance（5x5） 封装/外壳: 8-PowerVDFN 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 88 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 7800 pF @ 10 V 基本产品编号: TLP734
2SK3799(Q)
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
EDA/CAD模型: 从 Accelerated Designs 下载 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: - 包装: 散装 FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 900V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 8A（Ta） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.3 欧姆 @ 4A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 60nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 2200pF @ 25V 功率-最大值: 50W 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-3 整包 供应商器件封装: TO-220SIS 其它名称: 2SK3799(Q,M)2SK3799(QM)2SK3799(QM)-ND
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
EDA/CAD模型: 从 Accelerated Designs 下载 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: - 包装: 散装 FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 900V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 8A（Ta） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.3 欧姆 @ 4A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 60nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 2200pF @ 25V 功率-最大值: 50W 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-3 整包 供应商器件封装: TO-220SIS 其它名称: 2SK3799(Q,M)2SK3799(QM)2SK3799(QM)-ND
TPCF8402(TE85L,F,M
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.2A VS-8
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: 停产 FET 类型: N 和 P 沟道 FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A，3.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 50 毫欧 @ 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 10nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 470pF @ 10V 功率 - 最大值: 330mW 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SMD，扁平引线 供应商器件封装: VS-8（2.9x1.5） 基本产品编号: TLP741
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.2A VS-8
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: 停产 FET 类型: N 和 P 沟道 FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A，3.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 50 毫欧 @ 2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 10nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 470pF @ 10V 功率 - 最大值: 330mW 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SMD，扁平引线 供应商器件封装: VS-8（2.9x1.5） 基本产品编号: TLP741
TC58DVG02D5TA00
供应商: DigiKey
分类: 集成电路（IC）
类别: 集成电路（IC） 家庭: 存储器 系列: - 包装: 托盘 格式-存储器: 闪存 存储器类型: 闪存 - NAND 存储容量: 1G（128M x 8） 速度: 25ns 接口: 并联 电压-电源: 2.7 V ~ 3.6 V 工作温度: 0°C ~ 70°C（TA） 封装/外壳: 48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽） 供应商器件封装: 48-TSOP I
供应商: DigiKey
分类: 集成电路（IC）
类别: 集成电路（IC） 家庭: 存储器 系列: - 包装: 托盘 格式-存储器: 闪存 存储器类型: 闪存 - NAND 存储容量: 1G（128M x 8） 速度: 25ns 接口: 并联 电压-电源: 2.7 V ~ 3.6 V 工作温度: 0°C ~ 70°C（TA） 封装/外壳: 48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽） 供应商器件封装: 48-TSOP I
TMP86FS49AFG(Z)
供应商: DigiKey
分类: 集成电路（IC）
类别: 集成电路（IC） 家庭: 嵌入式 - 微控制器 系列: TLCS-870/C 包装: 托盘 核心处理器: 870/C 核心尺寸: 8-位 速度: 16MHz 连接性: I²C，SIO，UART/USART 外设: LED，PWM，WDT I/O数: 56 程序存储容量: 60KB（60K x 8） 程序存储器类型: 闪存 EEPROM容量: - RAM容量: 2K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）: 1.8 V ~ 5.5 V 数据转换器: A/D 16x10b 振荡器类型: 内部 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 封装/外壳: 64-BQFP 供应商器件封装: 64-QFP（14x14） 配用: TMP89C900XBG-ND- EMULATION CHIP TMP89F LQFP 其它名称: TMP86FS49AFGZ
供应商: DigiKey
分类: 集成电路（IC）
类别: 集成电路（IC） 家庭: 嵌入式 - 微控制器 系列: TLCS-870/C 包装: 托盘 核心处理器: 870/C 核心尺寸: 8-位 速度: 16MHz 连接性: I²C，SIO，UART/USART 外设: LED，PWM，WDT I/O数: 56 程序存储容量: 60KB（60K x 8） 程序存储器类型: 闪存 EEPROM容量: - RAM容量: 2K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）: 1.8 V ~ 5.5 V 数据转换器: A/D 16x10b 振荡器类型: 内部 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 封装/外壳: 64-BQFP 供应商器件封装: 64-QFP（14x14） 配用: TMP89C900XBG-ND- EMULATION CHIP TMP89F LQFP 其它名称: TMP86FS49AFGZ
TCR3DM30,LF
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 稳压器 - 线性
描述: IC REG LINEAR 3V 300MA 4DFN
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: TCR3DM 零件状态: 有源 输出配置: 正 输出类型: 固定 电压 - 输入（最大值）: 5.5V 电压 - 输出（最小值/固定）: 3V 电压 - 输出（最大值）: - 电压降（最大值）: 0.25V @ 300mA 电流 - 输出: 300mA PSRR: 70dB（1kHz） 控制特性: 使能 保护功能: 过流，超温 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 4-UDFN 裸露焊盘 供应商器件封装: 4-DFN（1x1） 稳压器数: 1 电流 - 静态 (Iq): 65 µA 电流 - 供电（最大值）: 78 µA 基本产品编号: TCR3DM30
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 稳压器 - 线性
描述: IC REG LINEAR 3V 300MA 4DFN
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: TCR3DM 零件状态: 有源 输出配置: 正 输出类型: 固定 电压 - 输入（最大值）: 5.5V 电压 - 输出（最小值/固定）: 3V 电压 - 输出（最大值）: - 电压降（最大值）: 0.25V @ 300mA 电流 - 输出: 300mA PSRR: 70dB（1kHz） 控制特性: 使能 保护功能: 过流，超温 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 4-UDFN 裸露焊盘 供应商器件封装: 4-DFN（1x1） 稳压器数: 1 电流 - 静态 (Iq): 65 µA 电流 - 供电（最大值）: 78 µA 基本产品编号: TCR3DM30
TMP86FS49BUG(C,JZ)
供应商: DigiKey
分类: 嵌入式 - 微控制器
描述: IC MCU 8BIT 60KB FLASH 64LQFP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: TLCS-870/C 包装: 托盘 零件状态: 有源 核心处理器: 870/C 内核规格: 8 位 速度: 16MHz 连接能力: I²C，SIO，UART/USART 外设: LED，PWM，WDT 程序存储容量: 60KB（60K x 8） 程序存储器类型: 闪存 EEPROM 容量: - RAM 大小: 2K x 8 电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V 数据转换器: A/D 16x10b 振荡器类型: 内部 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 64-LQFP 供应商器件封装: 64-LQFP（10x10） I/O 数: 56 基本产品编号: TMP86FS49
供应商: DigiKey
分类: 嵌入式 - 微控制器
描述: IC MCU 8BIT 60KB FLASH 64LQFP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: TLCS-870/C 包装: 托盘 零件状态: 有源 核心处理器: 870/C 内核规格: 8 位 速度: 16MHz 连接能力: I²C，SIO，UART/USART 外设: LED，PWM，WDT 程序存储容量: 60KB（60K x 8） 程序存储器类型: 闪存 EEPROM 容量: - RAM 大小: 2K x 8 电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V 数据转换器: A/D 16x10b 振荡器类型: 内部 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 64-LQFP 供应商器件封装: 64-LQFP（10x10） I/O 数: 56 基本产品编号: TMP86FS49
TC62D722CFNG(CEL)
供应商: DigiKey
分类: PMIC - LED 驱动器
Categories: 集成电路（IC） 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 剪切带（CT） 零件状态: 在售 类型: 线性 拓扑: 移位寄存器 内部开关: 是 输出数: 16 电压-供电（最低）: 3V 电压- 供电（最高）: 5.5V 电压-输出: 17V 电流-输出/通道: 90mA 频率: - 调光: - 应用: - 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 24-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）裸焊盘 供应商器件封装: 24-HTSSOP
供应商: DigiKey
分类: PMIC - LED 驱动器
Categories: 集成电路（IC） 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 剪切带（CT） 零件状态: 在售 类型: 线性 拓扑: 移位寄存器 内部开关: 是 输出数: 16 电压-供电（最低）: 3V 电压- 供电（最高）: 5.5V 电压-输出: 17V 电流-输出/通道: 90mA 频率: - 调光: - 应用: - 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 24-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）裸焊盘 供应商器件封装: 24-HTSSOP
HN3C51F-BL(TE85L,F
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
描述: TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: 停产 晶体管类型: 2 NPN（双） 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 120V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 300mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO） 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 350 @ 2mA，6V 功率 - 最大值: 300mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-74，SOT-457 供应商器件封装: SM6 基本产品编号: TLP127
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
描述: TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: 停产 晶体管类型: 2 NPN（双） 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 120V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 300mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO） 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 350 @ 2mA，6V 功率 - 最大值: 300mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-74，SOT-457 供应商器件封装: SM6 基本产品编号: TLP127