2SK3799(Q)

品牌
供应商
分类
分立半导体产品

物料参数

EDA/CAD模型:从 Accelerated Designs 下载
类别:分立半导体产品
家庭:FET - 单
系列:-
包装:散装
FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET功能:标准
漏源极电压(Vdss):900V
电流-连续漏极(Id)(25°C时):8A(Ta)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):1.3 欧姆 @ 4A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg):60nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss):2200pF @ 25V
功率-最大值:50W
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商器件封装:TO-220SIS
其它名称:2SK3799(Q,M)2SK3799(QM)2SK3799(QM)-ND