2SK3799(Q)
品牌
供应商
分类
分立半导体产品
物料参数
EDA/CAD模型: | 从 Accelerated Designs 下载 |
类别: | 分立半导体产品 |
家庭: | FET - 单 |
系列: | - |
包装: | 散装 |
FET类型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET功能: | 标准 |
漏源极电压(Vdss): | 900V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时): | 8A(Ta) |
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): | 1.3 欧姆 @ 4A,10V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值): | 4V @ 1mA |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg): | 60nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss): | 2200pF @ 25V |
功率-最大值: | 50W |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-220-3 整包 |
供应商器件封装: | TO-220SIS |
其它名称: | 2SK3799(Q,M)2SK3799(QM)2SK3799(QM)-ND |