HN3C51F-BL(TE85L,F
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分类
分立半导体产品>>晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
描述
TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
物料参数
制造商: | Toshiba Semiconductor and Storage |
系列: | - |
零件状态: | 停产 |
晶体管类型: | 2 NPN(双) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 120V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): | 300mV @ 1mA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大值): | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): | 350 @ 2mA,6V |
功率 - 最大值: | 300mW |
频率 - 跃迁: | 100MHz |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | SC-74,SOT-457 |
供应商器件封装: | SM6 |
基本产品编号: | TLP127 |
无库存