HN3C51F-BL(TE85L,F

品牌
供应商
分类
分立半导体产品>>晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
描述
TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6

物料参数

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
系列:-
零件状态:停产
晶体管类型:2 NPN(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):120V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):350 @ 2mA,6V
功率 - 最大值:300mW
频率 - 跃迁:100MHz
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-74,SOT-457
供应商器件封装:SM6
基本产品编号:TLP127
无库存