TPCF8402(TE85L,F,M
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分类
分立半导体产品>>晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
描述
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.2A VS-8
物料参数
制造商: | Toshiba Semiconductor and Storage |
系列: | - |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | N 和 P 沟道 |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4A,3.2A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 50 毫欧 @ 2A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 10nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 470pF @ 10V |
功率 - 最大值: | 330mW |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SMD,扁平引线 |
供应商器件封装: | VS-8(2.9x1.5) |
基本产品编号: | TLP741 |