TOSHIBA
Toshiba is a world leader and innovator in pioneering high technology, a diversified manufacturer and marketer of advanced electronic and electrical products spanning information & communications systems; digital consumer products; electronic devices and components; power systems, including nuclear energy; industrial and social infrastructure systems; and home appliances. Toshiba was founded in 1875, and today operates a global network of more than 740 companies, with 204,000 employees worldwide and annual sales surpassing 6.3 trillion yen (US$68 billion).
商品列表
TLP2405(F)
供应商: DigiKey
分类: 光隔离器 - 逻辑输出
描述: OPTOISO 3.75KV PSH PULL 8SOIC
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 输入 - 侧 1/侧 2: 1/0 电压 - 隔离: 3750Vrms 共模瞬变抗扰度（最小值）: 15kV/µs 输入类型: DC 输出类型: 推挽式/图腾柱 数据速率: 5Mbps 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）: 250ns，250ns 上升/下降时间（典型值）: 30ns，30ns 电压 - 正向 (Vf)（典型值）: 1.57V 电流 - DC 正向 (If)（最大值）: 25mA 电压 - 供电: 4.5V ~ 20V 工作温度: -40°C ~ 100°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SO 通道数: 1 电流 - 输出/通道: 25 mA 基本产品编号: TLP2405
供应商: DigiKey
分类: 光隔离器 - 逻辑输出
描述: OPTOISO 3.75KV PSH PULL 8SOIC
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 输入 - 侧 1/侧 2: 1/0 电压 - 隔离: 3750Vrms 共模瞬变抗扰度（最小值）: 15kV/µs 输入类型: DC 输出类型: 推挽式/图腾柱 数据速率: 5Mbps 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）: 250ns，250ns 上升/下降时间（典型值）: 30ns，30ns 电压 - 正向 (Vf)（典型值）: 1.57V 电流 - DC 正向 (If)（最大值）: 25mA 电压 - 供电: 4.5V ~ 20V 工作温度: -40°C ~ 100°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SO 通道数: 1 电流 - 输出/通道: 25 mA 基本产品编号: TLP2405
TK12A50E,S4X
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 通孔 N 沟道 500V 12A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
类别: 分立半导体产品 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 500V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 12A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 520 毫欧 @ 6A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 1.2mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 40nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1300pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 45W（Tc） 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220SIS 封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 通孔 N 沟道 500V 12A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
类别: 分立半导体产品 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 500V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 12A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 520 毫欧 @ 6A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 1.2mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 40nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1300pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 45W（Tc） 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220SIS 封装/外壳: TO-220-3 整包
SSM3K309T(TE85L,F)
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: 停产 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.7A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 31 毫欧 @ 4A、 4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: - Vgs（最大值）: ±12V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 700mW（Ta） 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TSM 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 漏源电压（Vdss）: 20 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1020 pF @ 10 V 基本产品编号: CMS07
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: 停产 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.7A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 31 毫欧 @ 4A、 4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: - Vgs（最大值）: ±12V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 700mW（Ta） 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TSM 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 漏源电压（Vdss）: 20 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1020 pF @ 10 V 基本产品编号: CMS07
SSM3J331R,LF(T
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI 包装: 剪切带（CT） 零件状态: 在售 FET类型: P 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 20V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 4A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 1.5V，4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 1V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 10.4nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 630pF @ 10V Vgs（最大值）: ±8V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 1W（Ta） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 55 毫欧 @ 3A，4.5V 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: SOT-23F 封装/外壳: SOT-23-3 扁平引线
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI 包装: 剪切带（CT） 零件状态: 在售 FET类型: P 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 20V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 4A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 1.5V，4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 1V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 10.4nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 630pF @ 10V Vgs（最大值）: ±8V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 1W（Ta） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 55 毫欧 @ 3A，4.5V 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: SOT-23F 封装/外壳: SOT-23-3 扁平引线
TLP5751(TP,E
供应商: DigiKey
分类: 隔离器 - 栅极驱动器
描述: OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 6SO
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: 在售 技术: 光学耦合 电压 - 隔离: 5000Vrms 共模瞬变抗扰度（最小值）: 35kV/µs 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）: 150ns，150ns 脉宽失真（最大）: 50ns 上升/下降时间（典型值）: 15ns，8ns 电流 - 输出高、低: 1A，1A 电流 - 峰值输出: 1A 电压 - 正向 (Vf)（典型值）: 1.55V 电压 - 输出供电: 15V ~ 30V 工作温度: -40°C ~ 110°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 6-SOIC（0.295，7.50mm 宽） 供应商器件封装: 6-SO 认证机构: CQC，CSA，cUL，UL 通道数: 1 电流 - DC 正向 (If)（最大值）: 20 mA 基本产品编号: TLP5751
供应商: DigiKey
分类: 隔离器 - 栅极驱动器
描述: OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 6SO
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: 在售 技术: 光学耦合 电压 - 隔离: 5000Vrms 共模瞬变抗扰度（最小值）: 35kV/µs 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）: 150ns，150ns 脉宽失真（最大）: 50ns 上升/下降时间（典型值）: 15ns，8ns 电流 - 输出高、低: 1A，1A 电流 - 峰值输出: 1A 电压 - 正向 (Vf)（典型值）: 1.55V 电压 - 输出供电: 15V ~ 30V 工作温度: -40°C ~ 110°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 6-SOIC（0.295，7.50mm 宽） 供应商器件封装: 6-SO 认证机构: CQC，CSA，cUL，UL 通道数: 1 电流 - DC 正向 (If)（最大值）: 20 mA 基本产品编号: TLP5751
6N139(F)
供应商: DigiKey
分类: 光隔离器 - 晶体管，光电输出
描述: OPTOISO 2.5KV DARL W/BASE 8DIP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 电压 - 隔离: 2500Vrms 电流传输比（最小值）: 500% @ 1.6mA 电流传输比（最大值）: - 接通 / 关断时间（典型值）: 200ns，1µs 上升/下降时间（典型值）: - 输入类型: DC 输出类型: 有基极的达林顿晶体管 电压 - 输出（最大值）: 18V 电流 - 输出/通道: 60mA 电压 - 正向 (Vf)（典型值）: 1.65V Vce 饱和压降（最大）: - 工作温度: 0°C ~ 70°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: 8-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 8-DIP 通道数: 1 电流 - DC 正向 (If)（最大值）: 20 mA 基本产品编号: TJ50
供应商: DigiKey
分类: 光隔离器 - 晶体管，光电输出
描述: OPTOISO 2.5KV DARL W/BASE 8DIP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 电压 - 隔离: 2500Vrms 电流传输比（最小值）: 500% @ 1.6mA 电流传输比（最大值）: - 接通 / 关断时间（典型值）: 200ns，1µs 上升/下降时间（典型值）: - 输入类型: DC 输出类型: 有基极的达林顿晶体管 电压 - 输出（最大值）: 18V 电流 - 输出/通道: 60mA 电压 - 正向 (Vf)（典型值）: 1.65V Vce 饱和压降（最大）: - 工作温度: 0°C ~ 70°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: 8-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 8-DIP 通道数: 1 电流 - DC 正向 (If)（最大值）: 20 mA 基本产品编号: TJ50
TLP2761(LF4,E
供应商: DigiKey
分类: 光隔离器 - 逻辑输出
描述: OPTOCOUPLER TRANS
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 输入 - 侧 1/侧 2: 1/0 电压 - 隔离: 5000Vrms 共模瞬变抗扰度（最小值）: 20kV/µs 输入类型: AC，DC 数据速率: 15MBd 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）: 80ns，80ns 上升/下降时间（典型值）: 3ns，3ns 电压 - 正向 (Vf)（典型值）: 1.5V 电流 - DC 正向 (If)（最大值）: 10mA 电压 - 供电: 2.7V ~ 5.5V 工作温度: -40°C ~ 125°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 6-SOIC（0.295，7.50mm 宽） 供应商器件封装: 6-SO 通道数: 1 电流 - 输出/通道: 10 mA 基本产品编号: TLP2761
供应商: DigiKey
分类: 光隔离器 - 逻辑输出
描述: OPTOCOUPLER TRANS
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 输入 - 侧 1/侧 2: 1/0 电压 - 隔离: 5000Vrms 共模瞬变抗扰度（最小值）: 20kV/µs 输入类型: AC，DC 数据速率: 15MBd 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）: 80ns，80ns 上升/下降时间（典型值）: 3ns，3ns 电压 - 正向 (Vf)（典型值）: 1.5V 电流 - DC 正向 (If)（最大值）: 10mA 电压 - 供电: 2.7V ~ 5.5V 工作温度: -40°C ~ 125°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 6-SOIC（0.295，7.50mm 宽） 供应商器件封装: 6-SO 通道数: 1 电流 - 输出/通道: 10 mA 基本产品编号: TLP2761
2SJ402(Q)
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: - 包装: 管件 FET类型: MOSFET P 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 30A（Ta） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 38 毫欧 @ 15A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 110nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 3300pF @ 10V 功率-最大值: 100W 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-3（SMT）标片 供应商器件封装: TO-220FL
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: - 包装: 管件 FET类型: MOSFET P 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 60V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 30A（Ta） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 38 毫欧 @ 15A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 110nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 3300pF @ 10V 功率-最大值: 100W 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-3（SMT）标片 供应商器件封装: TO-220FL
TC74HC02AFELF
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 栅极和逆变器
描述: IC GATE NOR 4CH 2-INP 14SOP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: 74HC 零件状态: 不適用於新設計 逻辑类型: 或非门 输入数: 2 特性: - 电压 - 供电: 2V ~ 6V 电流 - 输出高、低: 5.2mA，5.2mA 逻辑电平 - 低: 0.5V ~ 1.8V 逻辑电平 - 高: 1.5V ~ 4.2V 不同 V、最大 CL 时最大传播延迟: 13ns @ 6V，50pF 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 14-SOP 封装/外壳: 14-SOIC（0.173，4.40mm 宽） 电路数: 4 电流 - 静态（最大值）: 1 µA 基本产品编号: TC74VHC74
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 栅极和逆变器
描述: IC GATE NOR 4CH 2-INP 14SOP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: 74HC 零件状态: 不適用於新設計 逻辑类型: 或非门 输入数: 2 特性: - 电压 - 供电: 2V ~ 6V 电流 - 输出高、低: 5.2mA，5.2mA 逻辑电平 - 低: 0.5V ~ 1.8V 逻辑电平 - 高: 1.5V ~ 4.2V 不同 V、最大 CL 时最大传播延迟: 13ns @ 6V，50pF 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 14-SOP 封装/外壳: 14-SOIC（0.173，4.40mm 宽） 电路数: 4 电流 - 静态（最大值）: 1 µA 基本产品编号: TC74VHC74