SSM3J331R,LF(T
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分立半导体产品>>晶体管 - FET，MOSFET - 单
物料参数
| 类别: | 分立半导体产品 |
| 制造商: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 系列: | U-MOSVI |
| 包装: | 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET类型: | P 沟道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源极电压（Vdss）: | 20V |
| 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: | 4A（Ta） |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: | 1.5V，4.5V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: | 1V @ 1mA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: | 10.4nC @ 4.5V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: | 630pF @ 10V |
| Vgs（最大值）: | ±8V |
| FET功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 1W（Ta） |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 55 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 供应商器件封装: | SOT-23F |
| 封装/外壳: | SOT-23-3 扁平引线 |