SSM3K309T(TE85L,F)
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分立半导体产品>>晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述
MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
物料参数
| 制造商: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 系列: | - |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4.7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 1.8V，4V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 31 毫欧 @ 4A、 4V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | - |
| Vgs（最大值）: | ±12V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 700mW（Ta） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | TSM |
| 封装/外壳: | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 漏源电压（Vdss）: | 20 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1020 pF @ 10 V |
| 基本产品编号: | CMS07 |