ADVANCED POWER TECHNOLOGY
商品列表
AP90T03GH-HF-3TR
供应商: corestaff
供应商: corestaff
AP4232BGM-HF-3TR
供应商: corestaff
供应商: corestaff
AP4501GM-HF-3TR
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 双路场效应管MOSFET晶体管
描述: 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7 A, 30 V, 0.028 ohm, 10 V, 1 V
工作温度最高值: 150°C 晶体管极性: N和P沟道 电流, Id 连续: 7A 漏源电压, Vds: 30V 电压 @ Rds测量: 10V 产品范围: - 在电阻RDS（上）: 0.028ohm MSL: MSL 3 - 168小时 阈值电压 Vgs: 1V 针脚数: 8引脚 汽车质量标准: - 晶体管封装类型: SOIC 功耗 Pd: 2W
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 双路场效应管MOSFET晶体管
描述: 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7 A, 30 V, 0.028 ohm, 10 V, 1 V
工作温度最高值: 150°C 晶体管极性: N和P沟道 电流, Id 连续: 7A 漏源电压, Vds: 30V 电压 @ Rds测量: 10V 产品范围: - 在电阻RDS（上）: 0.028ohm MSL: MSL 3 - 168小时 阈值电压 Vgs: 1V 针脚数: 8引脚 汽车质量标准: - 晶体管封装类型: SOIC 功耗 Pd: 2W
APE1911MP-HF-3TR
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 直流/直流可调开关稳压器
描述: 直流-直流开关升压稳压器, 可调, 3V-20V输入, 3.3V-32V/3A输出, 500 kHz, HSOIC-8
拓扑结构: 升压 工作温度最高值: 125°C 封装: 剪切带 直流直流转换器芯片封装: HSOIC 输出电压最大值: 32V 产品范围: - 输入电压最小值: 3V 输出电流: 3A 输出电压最小值: 3.3V 针脚数: 8引脚 输入电压最大值: 20V 汽车质量标准: - 输出数: 1输出 开关频率: 500kHz MSL: MSL 3 - 168小时
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 直流/直流可调开关稳压器
描述: 直流-直流开关升压稳压器, 可调, 3V-20V输入, 3.3V-32V/3A输出, 500 kHz, HSOIC-8
拓扑结构: 升压 工作温度最高值: 125°C 封装: 剪切带 直流直流转换器芯片封装: HSOIC 输出电压最大值: 32V 产品范围: - 输入电压最小值: 3V 输出电流: 3A 输出电压最小值: 3.3V 针脚数: 8引脚 输入电压最大值: 20V 汽车质量标准: - 输出数: 1输出 开关频率: 500kHz MSL: MSL 3 - 168小时
AP2310GN-HF-3TR
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 场效应管MOSFET晶体管(600V以下)
描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1.55 V
工作温度最高值: 150°C 晶体管极性: N沟道 电流, Id 连续: 3A 漏源电压, Vds: 60V 电压 @ Rds测量: 10V 产品范围: - 在电阻RDS（上）: 0.07ohm MSL: MSL 3 - 168小时 阈值电压 Vgs: 1.55V 针脚数: 3引脚 汽车质量标准: - 晶体管封装类型: SOT-23 功耗 Pd: 1.38W
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 场效应管MOSFET晶体管(600V以下)
描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1.55 V
工作温度最高值: 150°C 晶体管极性: N沟道 电流, Id 连续: 3A 漏源电压, Vds: 60V 电压 @ Rds测量: 10V 产品范围: - 在电阻RDS（上）: 0.07ohm MSL: MSL 3 - 168小时 阈值电压 Vgs: 1.55V 针脚数: 3引脚 汽车质量标准: - 晶体管封装类型: SOT-23 功耗 Pd: 1.38W
AP2307GN-HF-3TR
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 单场效应管MOSFET晶体管
描述: 晶体管, MOSFET, P沟道, -4 A, -16 V, 0.06 ohm, -4.5 V
工作温度最高值: 150°C 晶体管极性: P沟道 电流, Id 连续: -4A 漏源电压, Vds: -16V 电压 @ Rds测量: -4.5V 产品范围: - 在电阻RDS（上）: 0.06ohm MSL: MSL 3 - 168小时 阈值电压 Vgs: - 针脚数: 3引脚 汽车质量标准: - 晶体管封装类型: SOT-23 功耗 Pd: 1.38W
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 单场效应管MOSFET晶体管
描述: 晶体管, MOSFET, P沟道, -4 A, -16 V, 0.06 ohm, -4.5 V
工作温度最高值: 150°C 晶体管极性: P沟道 电流, Id 连续: -4A 漏源电压, Vds: -16V 电压 @ Rds测量: -4.5V 产品范围: - 在电阻RDS（上）: 0.06ohm MSL: MSL 3 - 168小时 阈值电压 Vgs: - 针脚数: 3引脚 汽车质量标准: - 晶体管封装类型: SOT-23 功耗 Pd: 1.38W
7H-33-HF-3TR
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: LDO稳压器
工作温度最小值: 0°C 工作温度最高值: 150°C 固定输出电压标称值: 3.3V 封装: 每个 LDO调节器封装类型: TO-252 汽车质量标准: - 产品范围: 3.3V 1A LDO Voltage Regulators 输入电压最小值: 6.4V 可调输出电压, 最高: - 输出电流: 1A 压降: 1.3V 输入电压最大值: 16V 可调输出电压, 最低: - 输出类型: 固定 针脚数: 3引脚
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: LDO稳压器
工作温度最小值: 0°C 工作温度最高值: 150°C 固定输出电压标称值: 3.3V 封装: 每个 LDO调节器封装类型: TO-252 汽车质量标准: - 产品范围: 3.3V 1A LDO Voltage Regulators 输入电压最小值: 6.4V 可调输出电压, 最高: - 输出电流: 1A 压降: 1.3V 输入电压最大值: 16V 可调输出电压, 最低: - 输出类型: 固定 针脚数: 3引脚
AP90T03GH-HF-3TR
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 场效应管MOSFET晶体管(600V以下)
描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 800 mV
工作温度最高值: 150°C 晶体管极性: N沟道 电流, Id 连续: 75A 漏源电压, Vds: 30V 电压 @ Rds测量: 10V 产品范围: - 在电阻RDS（上）: 0.004ohm MSL: MSL 3 - 168小时 阈值电压 Vgs: 800mV 针脚数: 3引脚 汽车质量标准: - 晶体管封装类型: TO-252 功耗 Pd: 96W
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 场效应管MOSFET晶体管(600V以下)
描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 800 mV
工作温度最高值: 150°C 晶体管极性: N沟道 电流, Id 连续: 75A 漏源电压, Vds: 30V 电压 @ Rds测量: 10V 产品范围: - 在电阻RDS（上）: 0.004ohm MSL: MSL 3 - 168小时 阈值电压 Vgs: 800mV 针脚数: 3引脚 汽车质量标准: - 晶体管封装类型: TO-252 功耗 Pd: 96W
AP85T08GP-HF-3TB
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 场效应管MOSFET晶体管(600V以下)
工作温度最高值: 150°C 晶体管极性: N沟道 电流, Id 连续: 75A 漏源电压, Vds: 80V 电压 @ Rds测量: 10V 产品范围: - 在电阻RDS（上）: 0.013ohm 阈值电压 Vgs: 1V 针脚数: 3引脚 汽车质量标准: - 晶体管封装类型: TO-220 功耗 Pd: 138W
供应商: element14 Asia-Pacific
分类: 场效应管MOSFET晶体管(600V以下)
工作温度最高值: 150°C 晶体管极性: N沟道 电流, Id 连续: 75A 漏源电压, Vds: 80V 电压 @ Rds测量: 10V 产品范围: - 在电阻RDS（上）: 0.013ohm 阈值电压 Vgs: 1V 针脚数: 3引脚 汽车质量标准: - 晶体管封装类型: TO-220 功耗 Pd: 138W