AP2310GN-HF-3TR
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半导体 - 分立器件>>晶体管>>MOSFET晶体管>>场效应管MOSFET晶体管(600V以下)
描述
晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1.55 V
物料参数
| 工作温度最高值: | 150°C |
| 晶体管极性: | N沟道 |
| 电流, Id 连续: | 3A |
| 漏源电压, Vds: | 60V |
| 电压 @ Rds测量: | 10V |
| 产品范围: | - |
| 在电阻RDS（上）: | 0.07ohm |
| MSL: | MSL 3 - 168小时 |
| 阈值电压 Vgs: | 1.55V |
| 针脚数: | 3引脚 |
| 汽车质量标准: | - |
| 晶体管封装类型: | SOT-23 |
| 功耗 Pd: | 1.38W |