2N7636-GA
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分立半导体产品>>晶体管 - FET，MOSFET - 单
物料参数
| 类别: | 分立半导体产品 |
| 制造商: | GeneSiC Semiconductor |
| 系列: | - |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET类型: | - |
| 技术: | SiC（碳化硅结晶体管） |
| 漏源电压（Vdss）: | 650V |
| 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: | 4A（Tc）（165°C） |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: | - |
| Vgs（最大值）: | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: | 324pF @ 35V |
| FET功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 125W（Tc） |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 415 毫欧 @ 4A |
| 工作温度: | -55°C ~ 225°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 供应商器件封装: | TO-276 |
| 封装/外壳: | TO-276AA |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 10+ | ¥197.5000 |
| 包装：10 | 库存：0 |