ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) 是为下列主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：(I) 数字消费电子、(II) 网络、(III) 移动通信和 (IV) 汽车电子。 我们的主要产品是高速、低功耗 SRAM 和中低密度 DRAM。 我们还设计和销售 EEPROM 和伪 SRAM。 我们面向高增长市场提供低成本、高质量的半导体产品，并寻求与客户建立长期合作关系。 长期以来，我们一直是存储器产品（包含较低密度和较小批量产品）的可靠供应商，即使在产能紧张的时期亦是如此
商品列表
IS62WV25616DBLL-45TLI
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: Digi-Key 停产 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步 存储容量: 4Mb（256K x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 45ns 电压 - 供电: 2.5V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 44-TSOP（0.400，10.16mm 宽） 供应商器件封装: 44-TSOP II 访问时间: 45 ns
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: Digi-Key 停产 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步 存储容量: 4Mb（256K x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 45ns 电压 - 供电: 2.5V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 44-TSOP（0.400，10.16mm 宽） 供应商器件封装: 44-TSOP II 访问时间: 45 ns
IS42RM32400H-75BLI
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 有源 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM - 移动 存储容量: 128Mb（4M x 32） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 2.3V ~ 3V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 90-TFBGA 供应商器件封装: 90-TFBGA（8x13） 时钟频率: 133 MHz 访问时间: 6 ns 基本产品编号: IS42RM32400
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 有源 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM - 移动 存储容量: 128Mb（4M x 32） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 2.3V ~ 3V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 90-TFBGA 供应商器件封装: 90-TFBGA（8x13） 时钟频率: 133 MHz 访问时间: 6 ns 基本产品编号: IS42RM32400
IS61NLP25636A-200TQI-TR
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 同步，SDR 存储容量: 9Mb（256K x 36） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3.135V ~ 3.465V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 100-LQFP 供应商器件封装: 100-TQFP（14x20） 时钟频率: 200 MHz 访问时间: 3.1 ns
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 同步，SDR 存储容量: 9Mb（256K x 36） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3.135V ~ 3.465V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 100-LQFP 供应商器件封装: 100-TQFP（14x20） 时钟频率: 200 MHz 访问时间: 3.1 ns
IS62WV102416ALL-35MLI
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 16MBIT PAR 48MINIBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 有源 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步 存储容量: 16Mb（1M x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 35ns 电压 - 供电: 1.65V ~ 2.2V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 48-TFBGA 供应商器件封装: 48-迷你型BGA（9x11） 访问时间: 35 ns 基本产品编号: IS62WV102416
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 16MBIT PAR 48MINIBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 有源 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步 存储容量: 16Mb（1M x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 35ns 电压 - 供电: 1.65V ~ 2.2V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 48-TFBGA 供应商器件封装: 48-迷你型BGA（9x11） 访问时间: 35 ns 基本产品编号: IS62WV102416
IS43DR16128B-3DBL-TR
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM - DDR2 存储容量: 2Gb（128M x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 15ns 电压 - 供电: 1.7V ~ 1.9V 工作温度: 0°C ~ 85°C（TC） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 84-TFBGA 供应商器件封装: 84-TWBGA（10.5x13） 时钟频率: 333 MHz 访问时间: 450 ps 基本产品编号: IS43DR16128
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM - DDR2 存储容量: 2Gb（128M x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 15ns 电压 - 供电: 1.7V ~ 1.9V 工作温度: 0°C ~ 85°C（TC） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 84-TFBGA 供应商器件封装: 84-TWBGA（10.5x13） 时钟频率: 333 MHz 访问时间: 450 ps 基本产品编号: IS43DR16128
IS42S16100H-6TLI-TR
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM 存储容量: 16Mb（1M x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 50-TSOP（0.400，10.16mm 宽） 供应商器件封装: 50-TSOP II 时钟频率: 166 MHz 访问时间: 5.5 ns 基本产品编号: IS42S16100
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM 存储容量: 16Mb（1M x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 50-TSOP（0.400，10.16mm 宽） 供应商器件封装: 50-TSOP II 时钟频率: 166 MHz 访问时间: 5.5 ns 基本产品编号: IS42S16100
IS61LPS102418A-200TQ
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 停产 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 同步，SDR 存储容量: 18Mb（1M x 18） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3.135V ~ 3.465V 工作温度: 0°C ~ 70°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 100-LQFP 供应商器件封装: 100-TQFP（14x20） 时钟频率: 200 MHz 访问时间: 3.1 ns
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 停产 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 同步，SDR 存储容量: 18Mb（1M x 18） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3.135V ~ 3.465V 工作温度: 0°C ~ 70°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 100-LQFP 供应商器件封装: 100-TQFP（14x20） 时钟频率: 200 MHz 访问时间: 3.1 ns
IS42S32800D-6TL-TR
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM 存储容量: 256Mb（8M x 32） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: 0°C ~ 70°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 86-TFSOP（0.400，10.16mm 宽） 供应商器件封装: 86-TSOP II 时钟频率: 166 MHz 访问时间: 5.4 ns
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM 存储容量: 256Mb（8M x 32） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: 0°C ~ 70°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 86-TFSOP（0.400，10.16mm 宽） 供应商器件封装: 86-TSOP II 时钟频率: 166 MHz 访问时间: 5.4 ns
IS43DR16160B-37CBL-TR
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM - DDR2 存储容量: 256Mb（16M x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 15ns 电压 - 供电: 1.7V ~ 1.9V 工作温度: 0°C ~ 70°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 84-TFBGA 供应商器件封装: 84-TWBGA（8x12.5） 时钟频率: 266 MHz 访问时间: 500 ps 基本产品编号: IS43DR16160
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM - DDR2 存储容量: 256Mb（16M x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 15ns 电压 - 供电: 1.7V ~ 1.9V 工作温度: 0°C ~ 70°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 84-TFBGA 供应商器件封装: 84-TWBGA（8x12.5） 时钟频率: 266 MHz 访问时间: 500 ps 基本产品编号: IS43DR16160
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IS42S83200G-6TLI
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 不適用於新設計 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM 存储容量: 256Mb（32M x 8） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 54-TSOP（0.400，10.16mm 宽） 供应商器件封装: 54-TSOP II 时钟频率: 166 MHz 访问时间: 5.4 ns 基本产品编号: IS42S83200
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 不適用於新設計 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM 存储容量: 256Mb（32M x 8） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 54-TSOP（0.400，10.16mm 宽） 供应商器件封装: 54-TSOP II 时钟频率: 166 MHz 访问时间: 5.4 ns 基本产品编号: IS42S83200