ISSI

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) 是为下列主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者:(I) 数字消费电子、(II) 网络、(III) 移动通信和 (IV) 汽车电子。 我们的主要产品是高速、低功耗 SRAM 和中低密度 DRAM。 我们还设计和销售 EEPROM 和伪 SRAM。 我们面向高增长市场提供低成本、高质量的半导体产品,并寻求与客户建立长期合作关系。 长期以来,我们一直是存储器产品(包含较低密度和较小批量产品)的可靠供应商,即使在产能紧张的时期亦是如此

商品列表
IS49NLC36160-25BL
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 在售 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: DRAM 存储容量: 576Mb(16M x 36) 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字,页: - 电压 - 供电: 1.7V ~ 1.9V 工作温度: 0°C ~ 70°C(TA) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 144-TFBGA 供应商器件封装: 144-FCBGA(11x18.5) 时钟频率: 400 MHz 访问时间: 20 ns 基本产品编号: IS49NLC36160
IS61NLP25618A-200TQLI
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP
存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 同步,SDR 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 存储器接口: 并联 时钟频率: 200MHz 写周期时间-字,页: - 访问时间: 3.1ns 电压-电源: 3.135V ~ 3.465V 工作温度: -40°C ~ 85°C(TA) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 100-LQFP 供应商器件封装: 100-TQFP(14x20)
IS66WVE2M16EBLL-55BLI
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 48TFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 有源 存储器类型: 易失 存储器格式: PSRAM 技术: PSRAM(伪 SRAM) 存储容量: 32Mb(2M x 16) 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字,页: 55ns 电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C(TA) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 48-TFBGA 供应商器件封装: 48-TFBGA(6x8) 访问时间: 55 ns 基本产品编号: IS66WVE2
IS43LR32100C-6BL-TR
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 32MBIT PARALLEL 90TFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带(TR) 零件状态: 停產 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM - 移动 LPDDR 存储容量: 32Mb(1M x 32) 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字,页: 12ns 电压 - 供电: 1.7V ~ 1.95V 工作温度: 0°C ~ 70°C(TA) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 90-TFBGA 供应商器件封装: 90-TFBGA(8x13) 时钟频率: 166 MHz 访问时间: 5.5 ns
IS42S16160B-7T
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 停產 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM 存储容量: 256Mb(16M x 16) 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字,页: - 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: 0°C ~ 70°C(TA) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 54-TSOP(0.400,10.16mm 宽) 供应商器件封装: 54-TSOP II 时钟频率: 143 MHz 访问时间: 5.4 ns
IS62WV102416BLL-25TLI
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 有源 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步 存储容量: 16Mb(1M x 16) 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字,页: 25ns 电压 - 供电: 1.65V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C(TA) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 48-TFSOP(0.724,18.40mm 宽) 供应商器件封装: 48-TSOP I 访问时间: 25 ns 基本产品编号: IS62WV102416
IS61LPS25618A-200B2LI
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 在售 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 同步,SDR 存储容量: 4.5Mb(256K x 18) 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字,页: - 电压 - 供电: 3.135V ~ 3.465V 工作温度: -40°C ~ 85°C(TA) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 119-BBGA 供应商器件封装: 119-PBGA(14x22) 时钟频率: 200 MHz 访问时间: 3.1 ns 基本产品编号: IS61LPS25618
IS43R16320D-6TLI
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 不适用于新设计 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM - DDR 存储容量: 512Mb(32M x 16) 存储器接口: 并联 时钟频率: 166 MHz 写周期时间 - 字,页: 15ns 访问时间: 700 ps 电压 - 供电: 2.3V ~ 2.7V 工作温度: -40°C ~ 85°C(TA) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 66-TSSOP (szerokość 0,400,10,16mm) 供应商器件封装: 66-TSOP II 基本产品编号: IS43R16320
IS42S32160C-75BL-TR
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90WBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带(TR) 零件状态: 停產 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM 存储容量: 512Mb(16M x 32) 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字,页: - 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: 0°C ~ 70°C(TA) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 90-LFBGA 供应商器件封装: 90-WBGA(8x13) 时钟频率: 133 MHz 访问时间: 6 ns
IS61QDB21M36-250M3
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: Digi-Key 停止提供 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 同步,QUAD 存储容量: 36Mb(1M x 36) 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字,页: - 电压 - 供电: 1.71V ~ 1.89V 工作温度: 0°C ~ 70°C(TA) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 165-LBGA 供应商器件封装: 165-LFBGA(15x17) 时钟频率: 250 MHz 访问时间: 7.5 ns