ISSI

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) 是为下列主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者:(I) 数字消费电子、(II) 网络、(III) 移动通信和 (IV) 汽车电子。 我们的主要产品是高速、低功耗 SRAM 和中低密度 DRAM。 我们还设计和销售 EEPROM 和伪 SRAM。 我们面向高增长市场提供低成本、高质量的半导体产品,并寻求与客户建立长期合作关系。 长期以来,我们一直是存储器产品(包含较低密度和较小批量产品)的可靠供应商,即使在产能紧张的时期亦是如此

商品列表
IS64WV51216BLL-10MLA3-TR
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带(TR) 零件状态: 有源 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步 存储容量: 8Mb(512K x 16) 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字,页: 10ns 电压 - 供电: 2.4V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 125°C(TA) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 48-TFBGA 供应商器件封装: 48-迷你型BGA(9x11) 访问时间: 10 ns 基本产品编号: IS64WV51216
IS43LR16640A-5BL
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 有源 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM - 移动 LPDDR 存储容量: 1Gb(64M x 16) 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字,页: 15ns 电压 - 供电: 1.7V ~ 1.95V 工作温度: 0°C ~ 70°C(TA) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 60-TFBGA 供应商器件封装: 60-TWBGA(8x10) 时钟频率: 200 MHz 访问时间: 5 ns 基本产品编号: IS43LR16640
IS63WV1288DBLL-10KLI
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停产 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步 存储容量: 1Mb(128K x 8) 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字,页: 10ns 电压 - 供电: 2.4V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C(TA) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 32-BSOJ(0.400,10.16mm 宽) 供应商器件封装: 32-SOJ 访问时间: 10 ns
IS42SM32800E-6BLI-TR
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带(TR) 零件状态: Digi-Key 停产 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM - 移动 存储容量: 256Mb(8M x 32) 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字,页: - 电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C(TA) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 90-TFBGA 供应商器件封装: 90-TFBGA(8x13) 时钟频率: 166 MHz 访问时间: 5.5 ns
IS43TR81280B-15GBLI
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78TWBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 停產 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM - DDR3 存储容量: 1Gb(128M x 8) 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字,页: 15ns 电压 - 供电: 1.425V ~ 1.575V 工作温度: -40°C ~ 95°C(TC) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 78-TFBGA 供应商器件封装: 78-TWBGA(8x10.5) 时钟频率: 667 MHz 访问时间: 20 ns
IS41LV16100D-50KLI-TR
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带(TR) 零件状态: 停产 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: DRAM - EDO 存储容量: 16Mb(1M x 16) 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字,页: - 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C(TA) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 42-BSOJ(0.400,10.16mm 宽) 供应商器件封装: 42-SOJ 访问时间: 25 ns
IS45S16160G-7CTLA1
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 不適用於新設計 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM 存储容量: 256Mb(16M x 16) 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字,页: - 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C(TA) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 54-TSOP(0.400,10.16mm 宽) 供应商器件封装: 54-TSOP II 时钟频率: 143 MHz 访问时间: 5.4 ns 基本产品编号: IS45S16160
IS62WV25616EBLL-55TLI
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带(TR) 零件状态: 有源 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步 存储容量: 4Mb(256K x 16) 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字,页: 55ns 电压 - 供电: 2.2V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C(TA) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 44-TSOP(0.400,10.16mm 宽) 供应商器件封装: 44-TSOP II 访问时间: 55 ns 基本产品编号: IS62WV25616
IS43TR81280BL-107MBLI
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78TWBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 不适用于新设计 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM - DDR3L 存储容量: 1Gb(128M x 8) 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字,页: 15ns 电压 - 供电: 1.283V ~ 1.45V 工作温度: -40°C ~ 95°C(TC) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 78-TFBGA 供应商器件封装: 78-TWBGA(8x10.5) 时钟频率: 933 MHz 访问时间: 20 ns 基本产品编号: IS43TR81280
IS43LR32320B-6BL
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90LFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 在售 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM - 移动 LPDDR 存储容量: 64Mb(2M x 32) 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字,页: 15ns 电压 - 供电: 1.7V ~ 1.95V 工作温度: 0°C ~ 70°C(TA) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 90-LFBGA 供应商器件封装: 90-LFBGA(8x13) 时钟频率: 166 MHz 访问时间: 5.5 ns 基本产品编号: IS43LR32320