INFINEON
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BSP129E6327
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 350mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 0V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6 欧姆 @ 350mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 108µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: 耗尽模式 功率耗散（最大值）: 1.8W（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PG-SOT223-4 封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA 漏源电压（Vdss）: 240 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 5.7 nC @ 5 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 108 pF @ 25 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 350mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 0V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6 欧姆 @ 350mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 108µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: 耗尽模式 功率耗散（最大值）: 1.8W（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PG-SOT223-4 封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA 漏源电压（Vdss）: 240 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 5.7 nC @ 5 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 108 pF @ 25 V
TLE7276-2E
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 稳压器 - 线性
类别: 集成电路（IC） 制造商: Infineon Technologies 系列: 汽车级，AEC-Q100 包装: Digi-Reel® 零件状态: 在售 稳压器拓扑: 正，固定式 电压-输出: 5V 电流-输出: 300mA 电压-跌落（典型值）: 0.25V @ 200mA 稳压器数: 1 电压-输入: 5.5 V ~ 42 V 电流-限制（最小值）: 301mA 工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 14-LSSOP（0.154，3.90mm 宽）裸露焊盘 供应商器件封装: PG-SSOP-14-EP
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 稳压器 - 线性
类别: 集成电路（IC） 制造商: Infineon Technologies 系列: 汽车级，AEC-Q100 包装: Digi-Reel® 零件状态: 在售 稳压器拓扑: 正，固定式 电压-输出: 5V 电流-输出: 300mA 电压-跌落（典型值）: 0.25V @ 200mA 稳压器数: 1 电压-输入: 5.5 V ~ 42 V 电流-限制（最小值）: 301mA 工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 14-LSSOP（0.154，3.90mm 宽）裸露焊盘 供应商器件封装: PG-SSOP-14-EP
IAUT260N10S5N019
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™-5 包装: Digi-Reel® 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 100V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 260A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 6V，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 3.8V @ 210µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 166nC @ 10V Vgs（最大值）: ±20V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 11830pF @ 50V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 300W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.9 毫欧 @ 100A，10V 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: PG-HSOF-8-1 封装/外壳: 8-PowerSFN
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™-5 包装: Digi-Reel® 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 100V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 260A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 6V，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 3.8V @ 210µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 166nC @ 10V Vgs（最大值）: ±20V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 11830pF @ 50V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 300W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.9 毫欧 @ 100A，10V 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: PG-HSOF-8-1 封装/外壳: 8-PowerSFN
BAT54-05B5003
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23
制造商: Infineon Technologies 系列: - 零件状态: 停產 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200mA（DC） 速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 工作温度 - 结: 150°C（最大） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23-3 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 30 V 反向恢复时间 (trr): 5 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 800 mV @ 100 mA 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA @ 25 V 基本产品编号: BAT54-05
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23
制造商: Infineon Technologies 系列: - 零件状态: 停產 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 200mA（DC） 速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 工作温度 - 结: 150°C（最大） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23-3 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 30 V 反向恢复时间 (trr): 5 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 800 mV @ 100 mA 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA @ 25 V 基本产品编号: BAT54-05
IPL65R650C6SATMA1
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 650V 6.7A THIN-PAK
制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ C6 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.7A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 650 毫欧 @ 2.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 210µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 56.8W（Tc） 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: Thin-PAK（5x6） 封装/外壳: 8-PowerTDFN 漏源电压（Vdss）: 650 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 21 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 440 pF @ 100 V 基本产品编号: IPL65R650
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 650V 6.7A THIN-PAK
制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ C6 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.7A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 650 毫欧 @ 2.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 210µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 56.8W（Tc） 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: Thin-PAK（5x6） 封装/外壳: 8-PowerTDFN 漏源电压（Vdss）: 650 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 21 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 440 pF @ 100 V 基本产品编号: IPL65R650
TLE8458GUV33
供应商: DigiKey
分类: 接口 - 驱动器，接收器，收发器
类别: 集成电路（IC） 家庭: 接口 - 驱动器，接收器，收发器 系列: - 包装: 带卷（TR） 类型: 收发器 协议: LIN 驱动器/接收器数: 1/1 双工: 全 接收器滞后: - 数据速率: 20Kbps 电压-电源: 7 V ~ 27 V 工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: PG-DSO-8 其它名称: SP000359999TLE8458GUV33XUMA1
供应商: DigiKey
分类: 接口 - 驱动器，接收器，收发器
类别: 集成电路（IC） 家庭: 接口 - 驱动器，接收器，收发器 系列: - 包装: 带卷（TR） 类型: 收发器 协议: LIN 驱动器/接收器数: 1/1 双工: 全 接收器滞后: - 数据速率: 20Kbps 电压-电源: 7 V ~ 27 V 工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: PG-DSO-8 其它名称: SP000359999TLE8458GUV33XUMA1
TLE4678EL
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 稳压器 - 线性
描述: IC REG LIN 5V 200MA SSOP-14-EP
制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q100, OPTIREG™ 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 输出配置: 正 输出类型: 固定 电压 - 输入（最大值）: 45V 电压 - 输出（最小值/固定）: 5V 电压 - 输出（最大值）: - 电压降（最大值）: 0.35V @ 150mA 电流 - 输出: 200mA PSRR: 65dB（100Hz） 控制特性: 复位，看门狗 保护功能: 过流，超温，反极性，短路 工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 14-LSSOP（0.154，3.90mm 宽）裸露焊盘 供应商器件封装: PG-SSOP-14-EP 稳压器数: 1 电流 - 静态 (Iq): 80 µA 电流 - 供电（最大值）: 8 mA 基本产品编号: TLE4678
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 稳压器 - 线性
描述: IC REG LIN 5V 200MA SSOP-14-EP
制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q100, OPTIREG™ 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 输出配置: 正 输出类型: 固定 电压 - 输入（最大值）: 45V 电压 - 输出（最小值/固定）: 5V 电压 - 输出（最大值）: - 电压降（最大值）: 0.35V @ 150mA 电流 - 输出: 200mA PSRR: 65dB（100Hz） 控制特性: 复位，看门狗 保护功能: 过流，超温，反极性，短路 工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 14-LSSOP（0.154，3.90mm 宽）裸露焊盘 供应商器件封装: PG-SSOP-14-EP 稳压器数: 1 电流 - 静态 (Iq): 80 µA 电流 - 供电（最大值）: 8 mA 基本产品编号: TLE4678
BCW60FFE6327HTSA1
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
描述: TRANS NPN 32V 100MA SOT23-3
制造商: Infineon Technologies 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 不適用於新設計 晶体管类型: NPN 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 550mV @ 1.25mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 20nA（ICBO） 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 250 @ 2mA，5V 频率 - 跃迁: 250MHz 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23-3 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 32 V 功率 - 最大值: 330 mW 基本产品编号: BCW60
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
描述: TRANS NPN 32V 100MA SOT23-3
制造商: Infineon Technologies 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 不適用於新設計 晶体管类型: NPN 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 550mV @ 1.25mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 20nA（ICBO） 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 250 @ 2mA，5V 频率 - 跃迁: 250MHz 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23-3 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 32 V 功率 - 最大值: 330 mW 基本产品编号: BCW60
SP300V5.0-E216-0
供应商: DigiKey
分类: 专用传感器
描述: IC TIRE PRESSURE SENSOR DSOSP-14
制造商: Infineon Technologies 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 传感器类型: 胎压监测（TPMS） 输出类型: 数字
供应商: DigiKey
分类: 专用传感器
描述: IC TIRE PRESSURE SENSOR DSOSP-14
制造商: Infineon Technologies 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 传感器类型: 胎压监测（TPMS） 输出类型: 数字