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SAF-XC164GM-16F40FBA
供应商: DigiKey
分类: 嵌入式 - 微控制器
描述: IC MCU 16BIT 128KB FLASH 64LQFP
制造商: Infineon Technologies 系列: XC16x 包装: 托盘 零件状态: 停產 核心处理器: C166SV2 内核规格: 16 位 速度: 40MHz 连接能力: CANbus，EBI/EMI，SPI，UART/USART 外设: PWM，WDT 程序存储容量: 128KB（128K x 8） 程序存储器类型: 闪存 EEPROM 容量: - RAM 大小: 8K x 8 电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 2.35V ~ 2.7V 数据转换器: A/D 14x8/10b 振荡器类型: 内部 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 64-LQFP 供应商器件封装: 64-LQFP（10x10） I/O 数: 47 基本产品编号: SA*XC164GM
供应商: DigiKey
分类: 嵌入式 - 微控制器
描述: IC MCU 16BIT 128KB FLASH 64LQFP
制造商: Infineon Technologies 系列: XC16x 包装: 托盘 零件状态: 停產 核心处理器: C166SV2 内核规格: 16 位 速度: 40MHz 连接能力: CANbus，EBI/EMI，SPI，UART/USART 外设: PWM，WDT 程序存储容量: 128KB（128K x 8） 程序存储器类型: 闪存 EEPROM 容量: - RAM 大小: 8K x 8 电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 2.35V ~ 2.7V 数据转换器: A/D 14x8/10b 振荡器类型: 内部 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 64-LQFP 供应商器件封装: 64-LQFP（10x10） I/O 数: 47 基本产品编号: SA*XC164GM
IPB80P04P407ATMA1
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 包装: 卷带（TR） 零件状态: 不适用于新设计 FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7.4 毫欧 @ 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 150µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 88W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PG-TO263-3-2 封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 漏源电压（Vdss）: 40 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 89 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6085 pF @ 25 V 基本产品编号: IPB80P04
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 包装: 卷带（TR） 零件状态: 不适用于新设计 FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7.4 毫欧 @ 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 150µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 88W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: PG-TO263-3-2 封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 漏源电压（Vdss）: 40 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 89 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6085 pF @ 25 V 基本产品编号: IPB80P04
IPI45N06S4L08AKSA3
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CHANNEL_55/60V
制造商: Infineon Technologies 系列: * 包装: 管件 零件状态: 停產
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CHANNEL_55/60V
制造商: Infineon Technologies 系列: * 包装: 管件 零件状态: 停產
BAS4002ARPPE6327
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
类别: 分立半导体产品 制造商: Infineon Technologies 系列: - 包装: Digi-Reel® 零件状态: 在售 二极管类型: 单相 技术: 标准 电压-峰值反向（最大值）: 40V 电流-平均整流（Io）: 200mA 不同If时的电压-正向（Vf）: 400mV @ 100mA 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 40V 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装: PG-SOT143-4
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
类别: 分立半导体产品 制造商: Infineon Technologies 系列: - 包装: Digi-Reel® 零件状态: 在售 二极管类型: 单相 技术: 标准 电压-峰值反向（最大值）: 40V 电流-平均整流（Io）: 200mA 不同If时的电压-正向（Vf）: 400mV @ 100mA 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 40V 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装: PG-SOT143-4
IPP80N06S2L-06
供应商: DigiKey
分类: FET - 单
PCN过时产品/EOL: Multiple Devices 20/Jul/2015 PCN组件/产地: Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: OptiMOS™ 包装: 管件 FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 逻辑电平门 漏源极电压（Vdss）: 55V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 80A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 6.3 毫欧 @ 69A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2V @ 180µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 150nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 3800pF @ 25V 功率-最大值: 250W 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-3 供应商器件封装: PG-TO220-3-1 其它名称: IPP80N06S2L06AKSA1SP000218824
供应商: DigiKey
分类: FET - 单
PCN过时产品/EOL: Multiple Devices 20/Jul/2015 PCN组件/产地: Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: OptiMOS™ 包装: 管件 FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 逻辑电平门 漏源极电压（Vdss）: 55V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 80A（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 6.3 毫欧 @ 69A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2V @ 180µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 150nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 3800pF @ 25V 功率-最大值: 250W 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-3 供应商器件封装: PG-TO220-3-1 其它名称: IPP80N06S2L06AKSA1SP000218824
IKCM10L60HAXKMA1
供应商: DigiKey
分类: 功率驱动器模块
描述: IFPS MODULES 24MDIP
制造商: Infineon Technologies 系列: CIPOS™ 包装: 管件 零件状态: 停产 类型: IGBT 配置: 3 相 电压 - 隔离: 2000Vrms 安装类型: 通孔 封装/外壳: 24-PowerDIP 模块（1.028，26.10mm） 电流: 10 A 电压: 600 V
供应商: DigiKey
分类: 功率驱动器模块
描述: IFPS MODULES 24MDIP
制造商: Infineon Technologies 系列: CIPOS™ 包装: 管件 零件状态: 停产 类型: IGBT 配置: 3 相 电压 - 隔离: 2000Vrms 安装类型: 通孔 封装/外壳: 24-PowerDIP 模块（1.028，26.10mm） 电流: 10 A 电压: 600 V
SPP100N06S2L-05
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4.7 毫欧 @ 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 300W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: PG-TO220-3-1 封装/外壳: TO-220-3 漏源电压（Vdss）: 55 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 230 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 7530 pF @ 25 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4.7 毫欧 @ 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 300W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: PG-TO220-3-1 封装/外壳: TO-220-3 漏源电压（Vdss）: 55 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 230 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 7530 pF @ 25 V
PXB4221EV3.4-G
供应商: DigiKey
分类: 专用 IC
描述: IC INTERWORKING ELEMENT 256BGA
制造商: Infineon Technologies 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 停產 类型: 互通元件 应用: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 256-BGA 供应商器件封装: 256-BGA（27x27） 基本产品编号: PXB4221
供应商: DigiKey
分类: 专用 IC
描述: IC INTERWORKING ELEMENT 256BGA
制造商: Infineon Technologies 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 停產 类型: 互通元件 应用: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 256-BGA 供应商器件封装: 256-BGA（27x27） 基本产品编号: PXB4221
56DN06ELEMPRXPSA1
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 600V 6400A
制造商: Infineon Technologies 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停产 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 6400A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 底座安装 封装/外壳: DO-200AB，B-PUK 供应商器件封装: - 工作温度 - 结: -40°C ~ 180°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 600 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.15 V @ 10000 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 mA @ 600 V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 600V 6400A
制造商: Infineon Technologies 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停产 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 6400A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 底座安装 封装/外壳: DO-200AB，B-PUK 供应商器件封装: - 工作温度 - 结: -40°C ~ 180°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 600 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.15 V @ 10000 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 mA @ 600 V
BCR401UE6327
供应商: DigiKey
分类: 集成电路（IC）
类别: 集成电路（IC） 家庭: PMIC - 稳流/电流管理 系列: - 包装: Digi-Reel® 功能: 电流源 感应方法: - 精度: - 电压-输入: 40V 电流-输出: 65mA 工作温度: - 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SC-74，SOT-457 供应商器件封装: PG-SC74-6 其它名称: BCR401UE6327INDKR
供应商: DigiKey
分类: 集成电路（IC）
类别: 集成电路（IC） 家庭: PMIC - 稳流/电流管理 系列: - 包装: Digi-Reel® 功能: 电流源 感应方法: - 精度: - 电压-输入: 40V 电流-输出: 65mA 工作温度: - 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SC-74，SOT-457 供应商器件封装: PG-SC74-6 其它名称: BCR401UE6327INDKR