CW

商品列表
CWS20N60AF
供应商: Anychip Mall
分类: CW,SJ-MOSFET
漏源电压BV DSS (V)(Min.):: 600 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):: 170 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.):: 190 最大漏极电流Id(on)(A):: 20 驱动电压(V):: 10 通道极性:: N沟道 封装/温度(℃):: TO-220F-3/-55~125 描述:: 600V,190mΩ,20A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET
供应商: Anychip Mall
分类: CW,SJ-MOSFET
漏源电压BV DSS (V)(Min.):: 600 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):: 170 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.):: 190 最大漏极电流Id(on)(A):: 20 驱动电压(V):: 10 通道极性:: N沟道 封装/温度(℃):: TO-220F-3/-55~125 描述:: 600V,190mΩ,20A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET
CW24C128DR
供应商: Anychip Mall
分类: CW,串行EEPROM
接口方式:: I2C 最大擦写次数:: 1M 位密度(bit):: 128K 结构:: x 8 最大写周期(ms):: 5 最大时钟频率(Hz):: 1M 工作电压(V):: 1.8~5.5 封装/温度(℃):: SOP-8L/-40~85 描述:: 16K字节,两线串行
供应商: Anychip Mall
分类: CW,串行EEPROM
接口方式:: I2C 最大擦写次数:: 1M 位密度(bit):: 128K 结构:: x 8 最大写周期(ms):: 5 最大时钟频率(Hz):: 1M 工作电压(V):: 1.8~5.5 封装/温度(℃):: SOP-8L/-40~85 描述:: 16K字节,两线串行
CW24C08AP
供应商: Anychip Mall
分类: CW
工作电压(V):: 1.7~5.5 接口方式:: I2C 最大擦写次数:: 1M 位密度(bit):: 8K 结构:: x 8 最大写周期(ms):: 4 最大时钟频率(MHz):: 1 封装/温度(℃):: DIP-8/-40~85
供应商: Anychip Mall
分类: CW
工作电压(V):: 1.7~5.5 接口方式:: I2C 最大擦写次数:: 1M 位密度(bit):: 8K 结构:: x 8 最大写周期(ms):: 4 最大时钟频率(MHz):: 1 封装/温度(℃):: DIP-8/-40~85
CW24C512AM
供应商: Anychip Mall
分类: CW
工作电压(V):: 1.7~5.5 接口方式:: I2C 最大擦写次数:: 1M 位密度(bit):: 512K 结构:: x 8 最大写周期(ms):: 5 最大时钟频率(MHz):: 1 封装/温度(℃):: MSOP-8/-40~85
供应商: Anychip Mall
分类: CW
工作电压(V):: 1.7~5.5 接口方式:: I2C 最大擦写次数:: 1M 位密度(bit):: 512K 结构:: x 8 最大写周期(ms):: 5 最大时钟频率(MHz):: 1 封装/温度(℃):: MSOP-8/-40~85
CW24C64AUR
供应商: Anychip Mall
分类: CW
工作电压(V):: 1.7~5.5 接口方式:: I2C 最大擦写次数:: 1M 位密度(bit):: 64K 结构:: x 8 最大写周期(ms):: 4 最大时钟频率(MHz):: 1 封装/温度(℃):: UDFN-8/-40~85
供应商: Anychip Mall
分类: CW
工作电压(V):: 1.7~5.5 接口方式:: I2C 最大擦写次数:: 1M 位密度(bit):: 64K 结构:: x 8 最大写周期(ms):: 4 最大时钟频率(MHz):: 1 封装/温度(℃):: UDFN-8/-40~85
CW32F030F6P7
供应商: Anychip Mall
分类: CW,32位8052核微处理器
工作电压(V):: 1.65~5.5 频率最大值(MHz):: 64 Flash(Byte):: 32K RAM(Byte):: 6K Timer/WDT/RTC/EMI:: 8/Y/Y/N ADC通道 x 位(模块数):: 12 x 1 I/O:: 15 串行通讯:: 2 x I2C;2 x SPI;3 x UART 封装/温度(℃):: TSSOP-20/-40~105 描述:: ARM Cortex-M0+ 32 位微控制器
供应商: Anychip Mall
分类: CW,32位8052核微处理器
工作电压(V):: 1.65~5.5 频率最大值(MHz):: 64 Flash(Byte):: 32K RAM(Byte):: 6K Timer/WDT/RTC/EMI:: 8/Y/Y/N ADC通道 x 位(模块数):: 12 x 1 I/O:: 15 串行通讯:: 2 x I2C;2 x SPI;3 x UART 封装/温度(℃):: TSSOP-20/-40~105 描述:: ARM Cortex-M0+ 32 位微控制器
CWS5N65AF
供应商: Anychip Mall
分类: CW,SJ-MOSFET
描述: 650V,850mΩ,5A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET
漏源电压BV DSS (V)(Min.):: 650 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):: 700 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.):: 850 最大漏极电流Id(on)(A):: 5 驱动电压(V):: 10 通道极性:: N沟道 封装/温度(℃):: TO-220F-3/-55~125 描述:: 650V,850mΩ,5A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET
供应商: Anychip Mall
分类: CW,SJ-MOSFET
描述: 650V,850mΩ,5A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET
漏源电压BV DSS (V)(Min.):: 650 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):: 700 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.):: 850 最大漏极电流Id(on)(A):: 5 驱动电压(V):: 10 通道极性:: N沟道 封装/温度(℃):: TO-220F-3/-55~125 描述:: 650V,850mΩ,5A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET
CWS60R125AZ
供应商: Anychip Mall
分类: CW,SJ-MOSFET
漏源电压BV DSS (V)(Min.):: 600 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):: 100 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.):: 125 最大漏极电流Id(on)(A):: 30 驱动电压(V):: 10 通道极性:: N沟道 封装/温度(℃):: TO-247-3/-55~125 描述:: 600V,125mΩ,30A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET
供应商: Anychip Mall
分类: CW,SJ-MOSFET
漏源电压BV DSS (V)(Min.):: 600 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):: 100 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.):: 125 最大漏极电流Id(on)(A):: 30 驱动电压(V):: 10 通道极性:: N沟道 封装/温度(℃):: TO-247-3/-55~125 描述:: 600V,125mΩ,30A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET
CW24C64AM
供应商: Anychip Mall
分类: CW
工作电压(V):: 1.7~5.5 接口方式:: I2C 最大擦写次数:: 1M 位密度(bit):: 64K 结构:: x 8 最大写周期(ms):: 4 最大时钟频率(MHz):: 1 封装/温度(℃):: MSOP-8/-40~85
供应商: Anychip Mall
分类: CW
工作电压(V):: 1.7~5.5 接口方式:: I2C 最大擦写次数:: 1M 位密度(bit):: 64K 结构:: x 8 最大写周期(ms):: 4 最大时钟频率(MHz):: 1 封装/温度(℃):: MSOP-8/-40~85