

CWS60R125AZ
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分类
分立半导体器件>>MOSFET>>CW,SJ-MOSFET
物料参数
漏源电压BV DSS (V)(Min.):: | 600 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):: | 100 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.):: | 125 |
最大漏极电流Id(on)(A):: | 30 |
驱动电压(V):: | 10 |
通道极性:: | N沟道 |
封装/温度(℃):: | TO-247-3/-55~125 |
描述:: | 600V,125mΩ,30A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET |