CW

CWS20N65AF
供应商: Anychip Mall
分类: CW，SJ-MOSFET
描述: 650V,190mΩ,20A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET
漏源电压BV DSS (V)(Min.)：: 650 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：: 170 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：: 190 最大漏极电流Id(on)(A)：: 20 驱动电压(V)：: 10 通道极性：: N沟道 封装/温度(℃)：: TO-220F-3/-55~125 描述：: 650V,190mΩ,20A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET

CW24C02BT
供应商: Anychip Mall
分类: CW
描述: EEPROM存储器
接口方式：: I2C 擦写次数：: 1M 位密度(bit)：: 2K 结构：: x 8 写速度(ms)：: 10 最大时钟频率(Hz)：: 400K 工作电压(V)：: 2.5~5.5 封装/温度(℃)：: TSSOP-8/0~70

CW24C64ATR
供应商: Anychip Mall
分类: CW
工作电压(V)：: 1.7~5.5 接口方式：: I2C 最大擦写次数：: 1M 位密度(bit)：: 64K 结构：: x 8 最大写周期(ms)：: 4 最大时钟频率(MHz)：: 1 封装/温度(℃)：: TSSOP-8/-40~85

CW24C512AUR
供应商: Anychip Mall
分类: CW
工作电压(V)：: 1.7~5.5 接口方式：: I2C 最大擦写次数：: 1M 位密度(bit)：: 512K 结构：: x 8 最大写周期(ms)：: 5 最大时钟频率(MHz)：: 1 封装/温度(℃)：: UDFN-8/-40~85

CW24C256DR
供应商: Anychip Mall
分类: CW，串行EEPROM
接口方式：: I2C 最大擦写次数：: 1M 位密度(bit)：: 256K 结构：: x 8 最大写周期(ms)：: 5 最大时钟频率(Hz)：: 1M 工作电压(V)：: 1.8~5.5 封装/温度(℃)：: SOP-8L/-40~85 描述：: 32K字节,两线串行

CW24C128AD
供应商: Anychip Mall
分类: CW
工作电压(V)：: 1.7~5.5 接口方式：: I2C 最大擦写次数：: 1M 位密度(bit)：: 128K 结构：: x 8 最大写周期(ms)：: 4 最大时钟频率(MHz)：: 1 封装/温度(℃)：: SOP-8/-40~85

CW24C32AT
供应商: Anychip Mall
分类: CW
工作电压(V)：: 1.7~5.5 接口方式：: I2C 最大擦写次数：: 1M 位密度(bit)：: 32K 结构：: x 8 最大写周期(ms)：: 4 最大时钟频率(MHz)：: 1 封装/温度(℃)：: TSSOP-8/-40~85

CW24C08ATS5
供应商: Anychip Mall
分类: CW
工作电压(V)：: 1.7~5.5 接口方式：: I2C 最大擦写次数：: 1M 位密度(bit)：: 8K 结构：: x 8 最大写周期(ms)：: 4 最大时钟频率(MHz)：: 1 封装/温度(℃)：: TSOT23-5/-40~85

CWS15N65AF
供应商: Anychip Mall
分类: CW，SJ-MOSFET
描述: 650V,280mΩ,15A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET
漏源电压BV DSS (V)(Min.)：: 650 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：: 250 导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：: 280 最大漏极电流Id(on)(A)：: 15 驱动电压(V)：: 10 通道极性：: N沟道 封装/温度(℃)：: TO-220F-3/-55~125 描述：: 650V,280mΩ,15A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET

CW24C128AUR
供应商: Anychip Mall
分类: CW
工作电压(V)：: 1.7~5.5 接口方式：: I2C 最大擦写次数：: 1M 位密度(bit)：: 128K 结构：: x 8 最大写周期(ms)：: 4 最大时钟频率(MHz)：: 1 封装/温度(℃)：: UDFN-8/-40~85