HXY
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TIP122
供应商: Anychip Mall
描述: 这款NPN型三极管（BJT）的最大集电极电流IC为5A，适用于中等电流需求的应用。其VCEO（集电极-发射极击穿电压）为100V，能够在较高电压条件下稳定工作。在3A集电极电流和3V电压条件下，该三极管的HFE（电流增益）范围为1K至12K，提供了稳定的电流放大性能。此元件适用于多种电子设备中的信号放大与开关应用，如消费电子产品的电路设计。
供应商: Anychip Mall
描述: 这款NPN型三极管（BJT）的最大集电极电流IC为5A，适用于中等电流需求的应用。其VCEO（集电极-发射极击穿电压）为100V，能够在较高电压条件下稳定工作。在3A集电极电流和3V电压条件下，该三极管的HFE（电流增益）范围为1K至12K，提供了稳定的电流放大性能。此元件适用于多种电子设备中的信号放大与开关应用，如消费电子产品的电路设计。
BSC097N06NS-HXY
供应商: Anychip Mall
描述: 该N沟道消费级MOSFET采用DFN5X6-8L封装，专为高电流应用设计。额定电压60V，能承载高达65A连续电流，尤其适用于电源转换、电池管理系统及大功率电子设备，具备低导通电阻与高效散热性能，是现代紧凑型系统理想的高性能半导体组件。
供应商: Anychip Mall
描述: 该N沟道消费级MOSFET采用DFN5X6-8L封装，专为高电流应用设计。额定电压60V，能承载高达65A连续电流，尤其适用于电源转换、电池管理系统及大功率电子设备，具备低导通电阻与高效散热性能，是现代紧凑型系统理想的高性能半导体组件。
IRFH5301PBF-HXY
供应商: Anychip Mall
描述: IRFH5301PbF 是一款高性能N沟道MOS管，采用紧凑型DFN5X6-8L封装，适用于现代电子产品的轻薄化设计需求。它能在30V的最大漏源电压(VDSS)下工作，并提供高达150A的连续漏极电流，展示了其卓越的电力传输性能。其特点在于仅2mΩ的导通电阻(RD(on))，有效减少功率损耗，提高系统效率，适用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等多种高功率应用场景，是实现高效电路设计的理想组件。
供应商: Anychip Mall
描述: IRFH5301PbF 是一款高性能N沟道MOS管，采用紧凑型DFN5X6-8L封装，适用于现代电子产品的轻薄化设计需求。它能在30V的最大漏源电压(VDSS)下工作，并提供高达150A的连续漏极电流，展示了其卓越的电力传输性能。其特点在于仅2mΩ的导通电阻(RD(on))，有效减少功率损耗，提高系统效率，适用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等多种高功率应用场景，是实现高效电路设计的理想组件。